我们最近推出了 JFE150,这是一款面向低噪声应用的分立式 N 沟道 JFET。
JFE150 的一些主要规格:
- 在 5mA 的 IDS 下,宽带噪声为8nV/rtHz
- 在较低漏源极电压下,栅极电流(最大值)为 10pA。栅极电流在大约 5V VDS 以上时为零,这会产生8fA/rtHz 的输入电流噪声
- 40V 栅源极击穿电压
- 24pF 输入电容 (VDS = 5V)
- 典型 IDSS 为 35mA,保证限值为 24mA 至 46mA
- 集成钳位二极管。如果不使用,可以将其悬空。
- 低量采购则单价约为 2 美元,现可在 TI store 购买。
为什么此器件不采用标准的 JFET 封装?
答:我们添加了钳位二极管,并且必须适应这些二极管。
钳位二极管对泄漏电流有何影响?
答:我们在钳位电压设为 5V 和 -5V 的输入电流规格中测试栅极电流泄漏。总的来说,钳位二极管对电流泄漏的影响极小(二极管尺寸和泄漏比 JFET 小得多)。
和许多其他音频 JFET 一样,似乎没有依照 Idss 对器件进行分级。
答:正确,没有分级,所有 JFE150 都将使用 EC 表中列出的规格。
是否有可用的模型?
答:是的,PSPICE 模型:JFE150 PSpice 模型
TINA-TI 模型:JFE150 TINA-TI Spice 模型
您将在此产品中提供哪些封装类型?
答:SC70 和 SOT23
此产品是否提供双封装?
答:是的,它将很快发布 SOIC 和 VSSOP 双封装选项
如何对此产品进行原型设计?
答:此器件可使用我们的 DIP 适配器 EVM 进行测试。