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[FAQ] 德州仪器 (TI) 的超低噪声 JFET

Other Parts Discussed in Thread: JFE150, TINA-TI

我们最近推出了 JFE150,这是一款面向低噪声应用的分立式 N 沟道 JFET。

JFE150 数据表

产品信息和支持

JFE150 的一些主要规格:

  1. 在 5mA 的 IDS 下,宽带噪声为8nV/rtHz
  2. 在较低漏源极电压下,栅极电流(最大值)为 10pA。栅极电流在大约 5V VDS 以上时为零,这会产生8fA/rtHz 的输入电流噪声
  3. 40V 栅源极击穿电压
  4. 24pF 输入电容 (VDS = 5V)
  5. 典型 IDSS 为 35mA,保证限值为 24mA 至 46mA
  6. 集成钳位二极管。如果不使用,可以将其悬空。
  7. 低量采购则单价约为 2 美元,现可在 TI store 购买。

 

为什么此器件不采用标准的 JFET 封装?

                答:我们添加了钳位二极管,并且必须适应这些二极管。

钳位二极管对泄漏电流有何影响?

答:我们在钳位电压设为 5V 和 -5V 的输入电流规格中测试栅极电流泄漏。总的来说,钳位二极管对电流泄漏的影响极小(二极管尺寸和泄漏比 JFET 小得多)。

和许多其他音频 JFET 一样,似乎没有依照 Idss 对器件进行分级。

                答:正确,没有分级,所有 JFE150 都将使用 EC 表中列出的规格。

是否有可用的模型?

                答:是的,PSPICE 模型:JFE150 PSpice 模型

                TINA-TI 模型:JFE150 TINA-TI Spice 模型

您将在此产品中提供哪些封装类型?

答:SC70 和 SOT23

此产品是否提供双封装?

                答:是的,它将很快发布 SOIC 和 VSSOP 双封装选项

如何对此产品进行原型设计?

                答:此器件可使用我们的 DIP 适配器 EVM 进行测试。