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DP83867IR: 由网口(RJ45)供电的开发板(PoE)

Part Number: DP83867IR
Other Parts Discussed in Thread: DP83867ERGZ-R-EVM, TIDA-010083, , TPS23758, LM74700-Q1

在TI网站上查到开发板DP83867ERGZ-R-EVM,想知道TI有类似的开发板,区别在于由网口(RJ45)供电,即PoE.

或者如果网口供电,下面的原理图有什么改动吗?哪个管脚输出直流电源?默认就是48V直流吗?

  • 您好,

    TIDA-010083参考设计应该对您有帮助,它是使用DP83867IR作为千兆以太网,PoE用于摄像头,其设计指南中 2.4.1.1 Powered Device 有修改说明;

    TIDA-010083参考设计链接:https://www.ti.com.cn/tool/cn/TIDA-010083

    设计指南:https://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/zhcu703/zhcu703.pdf

  • 看了您的推荐,有三个问题

    1.POE供电,通过RJ45输出到变压器输入端的中心抽头,不是已经是48V的直流电平了吗?为什么还要接整流器(4个二极管组成的)?

    2. TPS23758是专门的POE DCDC?可以用于PD的识别?如果用其他普通DCDC是否可以?无法识别了?

    3. LM74700这个二极管控制器的目的是做什么呢?为什么外接一个24V呢?

    谢谢。

  • 我需要一些时间以确认您的上述问题,请您耐心等一下

  • 有空还请您看看问题,谢谢。

  • 1、上述 文档 2.4.1.1 Powered Device 部分有说明,如下截图:

    2、TPS23758设备结合了以太网供电(PoE)设备(PD)接口、150-V开关电源FET和针对反激拓扑优化的电流模式DC-DC控制器。TPS23758的高集成度以及一次侧调节(PSR)、扩频频率抖动(SSFD)和高级启动功能使其成为尺寸受限应用的理想解决方案。PoE实施支持IEEE 802.3at标准作为13-W 1型PD。

    3、LM74700-Q1起保护作用,与外部N沟道MOSFET配合使用,为低损耗、反极性保护的理想二极管整流器。该器件可以承受并保护负载免受低至-65 V的负电源电压。使用低RDS(on)外部N沟道MOSFET,可以实现非常低的正向压降,同时最大限度地减少MOSFET中的功耗。

    此参考设计有两个不同的电源输入,一个电源选项是以太网供电(PoE),另一个选项是辅助电压输入。这两个电源输入被多路复用,为反激转换器供电。如果两个电源都存在,则会优先考虑辅助电源。24V是辅助输入电源

  • 谢谢您的回答,补充几个问题:

    1. 查看TPS23758的手册,它需要外接变压器(T1)才能输出直流电压,是因为TPS23758是隔离型的POE PD吗?这样器件空间很大,是否有更简单的PD芯片推荐呢?或者PD芯片输出是否可以直接接DC/DC或者LDO输出不同电压值?这个部分一定需要隔离吗?

    2. 如下图所示的二极管整流桥,功能并不是整流(因为POE输入已经是直流了),而是保证输入为正向或者反向时,PD端(TPS23758)都可以正常工作?RJ45变压器中间抽头输出的48V直流电没有准确的正负极定义吗?不知道我的理解对不对?

    3. 如果没有辅助电压输入,都靠POE供电,是不是LM74700就不需要了?辅助供电是为了防止POE供电不稳定作为代替吗?

    4. 有一些资料说,电流型PHY共模电感只能放在RJ45侧,电压型PHY可以放在PHY侧或者RJ45侧。这个共模电感是变压器自带的吗?如果RJ45集成变压器需要不同型号对应吗?

  • 关于电源类产品(TPS23758、LM74700、二极管)的问题,建议您去“电源管理”版块咨询;

    关于第4问题,为更加有效地解决您的问题,建议您将问题发布在E2E英文技术论坛上,将由资深的英文论坛工程师为您提供帮助,E2E英文技术论坛链接:

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