TI AFE：
您好！
我司的产品使用了贵司的MLVDS芯片SN65MLVD040，不同于LVDS信号（在同一对差分信号的接收器端并联端接一个100Ω的电阻），MLVDS信号要求在同一对差分信号的最远两端分别并联端接一个100Ω的电阻，两个100Ω的电阻并联后为50Ω，那么在设计PCB时，MLVDS差分信号线的差分特性阻抗应该是按照50Ω进行设计还是100Ω？
由于我司在第一版硬件设计中，并没有做阻抗设计和控制，导致信号反射严重，所以急需进行硬件改版设计，在线急等，谢谢！
TI AFE：
您好！
我司的产品使用了贵司的MLVDS芯片SN65MLVD040，不同于LVDS信号（在同一对差分信号的接收器端并联端接一个100Ω的电阻），MLVDS信号要求在同一对差分信号的最远两端分别并联端接一个100Ω的电阻，两个100Ω的电阻并联后为50Ω，那么在设计PCB时，MLVDS差分信号线的差分特性阻抗应该是按照50Ω进行设计还是100Ω？
由于我司在第一版硬件设计中，并没有做阻抗设计和控制，导致信号反射严重，所以急需进行硬件改版设计，在线急等，谢谢！
您好，由于LVDS不支持multipoint多点连接， 所以只是在靠近接收端接100ohm匹配电阻就好。
而MLVDS支持多点应用，就和RS485一样，在两个最远端需要同时端接100ohm匹配电阻。
那对于差分线来说，其实还是走的100ohm阻抗，对于单端信号来说，走的是50ohm阻抗，如下：
