工程师您好，
在阅读ISOW7721中文规格书时，对规格书中的图10-2有疑问：
该芯片内置隔离电源转换器，并通过内部变压器将GND1隔离为GND2，如果实际应用时，GND2侧有高共模干扰，是否就直接将芯片打坏了？
我认为GND1与GND2之间需要跨接一个pF级的高耐压电容（例如安规电容），这样在正常情况下，既可以做到隔离，又可以泻放共模干扰。
对于类似的隔离器件遭遇高共模干扰的场景，TI官方有没有什么推荐处理方案？
感谢。
您好，GND1和GND2之间加电容器确实有助于进一步降低辐射，但它可能需要较大的 PCB 空间来实现合理的电容。 并且它会受到高泄漏/引线电感的影响，这有可能会降低电容器的效率，而不会显著改善辐射。有些器件可以加common choke来抑制共模干扰，但 ISOW7721是带隔离电源转换器的最新器件，并且在大多数应用中满足 CISPR 32 B 类要求，都不需要加common choke,大多数应用按照数据手册中加上ferrite bead提高性能，所以不推荐在GND1和GND2之间加上电容。
另外，参考这篇以7741（和7721相似都是集成了隔离电源转换器的隔离器件）为例，介绍如何满足 CISPR 32 Radiated Emissions Limits要求的应用手册：