[参考译文] ONET8551T：ONET8551.

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部件号：ONET8551T

尊敬的TI工程师，

我们目前使用TI ONET8551T生产光学通信模块。故障率在老化后几乎达到0.3 %。
燃烧条件如下：施加100℃，3.3 V电压，24小时
我们想询问以下问题：
可靠性报告(故障率和工作寿命)
2.此TIA是否需要烧烤-如果是，则为？，TI建议的烧烤条件是什么？
3.早期故障率

非常感谢！

0 admin 8 年多前

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您好Henry，

我无法轻松找到您的问题的答案。据我所知，TI不需要对ONET8551T进行预烧。我们的设计旨在实现长期可靠性，并且在产品上市之前，我们对大量零件进行了测试，以确保其在使用寿命内的可靠性。

销售的每台设备都经过了生产后的测试，但我不知道这如何适用于"早期故障率"。

我将了解我能为您找到的内容。

此致，

Loren

0 admin 8 年多前

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您好Henry，

我还有一个问题。在100℃燃烧过程中，您是否有方法测量ONET8551T芯片的实际温度？在℃数据表中，我们建议确保模具温度不会超过105 ̊ C。当℃温度为100 ̊ C时，模具温度可能接近该限值。

此致，
Loren

0 admin 8 年多前

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您好，Loren，

我是SiFotonics的Wang Chen，我是Henry所提问题的最终用户。

您能否解释为什么ONET8551工作温度最大限值为100C？我发现其他TIA工作温度是125C交叉点温度。

TI是否进行过任何实验来证明此部件只能在高达100C的环境温度(或105C的结点温度)下工作？

在发布之前，TI是否对此ONET8551部件执行了高温工作寿命(HTOL)测试？

如果是，您能否将测试报告发送给我们？包括HTOL测试条件，样品大小等

期待您的反馈。

王晨

0 admin 8 年多前

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您好，Wang，

我仍在研究这个问题。 ONET8551的构建过程与我通常支持的产品不同。

此致，

Loren

0 admin 8 年多前

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您好，Loren，

您何时可以回答我的问题？这已经过去了半个多月。

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