[参考译文] ONET8551T：ONET8551T

您好，Cris，

要回答您的问题：
1.很抱歉，我们没有ONET8551T的可靠性报告，其中包括老化故障率和工作寿命。
2.我认为TIA不需要老化，并且老化的工作条件是在您的情况下连接VPD的情况下保持TIA通电。
3.抱歉，也没有关于此问题的数据。

我想问一下您的预烧测试中哪项TIA功能失败了？

此致，
Rohit

您好，Rohit，ö m

  感谢您的回答；我还有一些问题，您是否愿意帮助解决，非常感谢；

  1.您能否解释为什么ONET8551的工作温度最大限制为100C？ 我发现其他TIA工作温度是125C交叉点温度。

 2. TI是否进行过任何实验来证明此部件只能在高达100C的环境温度(或105C的结点温度)下工作？

 3.在发布之前，TI是否对此ONET8551部件执行了高温工作寿命(HTOL)测试？ 如果是，您能否将测试报告发送给我们？ 包括HTOL测试条件，样品大小等  

 4.我们注意到，输入到电极板的最大输入电流是4mA，此电流是平均值还是拾取值？

 5.我们还发现一些损坏的TIA ICC仍然正常，但OutputP和OutputN PAD的共模输出电压差变大(大于0.1V)。 您能解释为什么会发生这种情况吗？  

 6.下图是一 个发生故障的APD-TIA至CAN的板内TIA，您认为它是否因大输入电流而损坏？

您好，Rohit；ö m

我已看到您对上述问题的回答，您是否会帮助解决下面的问题；

我们的APD-TIA目标CAN发生0.25 % ONET8551故障(APD芯片仍然正常)。

在这些TIA无法实现的情况下，67 % 与ICC的电压超过了最大值(40mA)，其他33 % 显示ICC正常，但共模输出电压差很大。

一个输出为~3V，另一个接近0V。 您是否仍然认为这样做是好的？

这些测试仅为至直流电级测试，无光学输入，仅测试电气参数(ICC，Voutp，Voutn，APD VBR，APD ID)。

请提供ONET8551的HTOL测试报告。  

e2e.ti.com/.../0763.Doc1.docx

e2e.ti.com/.../8562.Doc1.docxHiRohit；

我已看到您对上述问题的回答，您是否会帮助解决下面的问题；

我们的APD-TIA目标CAN发生0.25 % ONET8551故障(APD芯片仍然正常)。

在这些TIA无法实现的情况下，67 % 与ICC的电压超过了最大值(40mA)，其他33 % 显示ICC正常，但共模输出电压差很大。

一个输出为~3V，另一个接近0V。 您是否仍然认为这样做是好的？

这些测试仅为至直流电级测试，无光学输入，仅测试电气参数(ICC，Voutp，Voutn，APD VBR，APD ID)。

请提供ONET8551的HTOL测试报告。  

您好，Cris，

正如Word文档中的回答，如果ONET8551T测试在85°C的自由空气工作环境温度下进行，则设备可能存在可靠性风险，您可能会看到轻微的HTOL故障。 请务必注意，数据表指定的最大推荐工作温度为100°C，即"背面工作模具温度"，而不是自由空气工作环境温度。  

我当然认为0.25 % 至CAN由于在100°C的环境自由空气工作温度下执行燃烧测试而损坏，如下面的线程所述，我假设这两个线程都与相同的问题有关？ 我建议在85°C的自由空气环境工作温度下重新执行至CAN的燃烧测试，并查看是否存在任何燃烧故障。 此外，我认为我不能随意分享HTOL报告，因为由于涉及流程信息，需要签订保密协议。 如果需要，您可以尝试直接通过rohitdbhat@ti.com联系我，单独进行此操作。

此致，

Rohit