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[参考译文] LF353:LF353D与LF353M的输入偏移电压

Guru**** 681050 points
Other Parts Discussed in Thread: LF353-N, TL052, TL072H, LF353
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1101053/lf353-input-offset-voltage-of-lf353d-vs-lf353m

部件号:LF353
主题中讨论的其他部件: TL052TL072H

您好,

我想知道LF353D和LF353M在输入偏置电压方面是否有任何差异。

数据表中的输入偏移电压技术指标似乎与这两种产品相同。 但 在LF353M 数据表中,有一个参考是使用'BI-FET II技术'来实现内部微调输入偏移电压。

我提出这个问题是因为我遇到了一些旧的National Semiconductor LF353M运算放大器和一些新的德州仪器(TI) LF353D之间的输入偏移电压差异; 我在这些器件上进行了一些测试,而延迟器(LF353D)的输入电压偏移通常 大于LF353M (National Semiconductor )。

我想知道切换到德州仪器(TI) LF353M运算放大器是否可以帮助我降低输入偏移电压行为。

谢谢你。

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    您好,Nicola,

    您观察到什么输入偏移电压?

    Kai

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    LF353-N (即LF353M/NOPB)与National Semiconductor的旧LF353设备相同。 理论上,它应该具有相同的属性,包括偏移电压分布。 实际上,仅保证最小/最大数据表限值,LF353-N和LF353具有相同的10 mV限值。 如果您关心偏移电压,请使用具有更好保证的设备,例如TL072H或TL052。