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[参考译文] XTR110:如何使用数据表第9页上的200mA 电流。

Guru**** 1934100 points
Other Parts Discussed in Thread: XTR110
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1039166/xtr110-how-to-use-200ma-on-page-9-of-the-datasheet

器件型号:XTR110

您好,

我想使用 XTR110 +/-200mA AO 电路、但它不起作用。

它的设计如 数据表第9页所示。

我找不到 IR9513、IR513和 IRFF9113、因此我使用 了 RD3L01BATTL1、 FDD86381-F085和 RD3L140SPTL1作为替代品。

请检查我的电路。

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    您好!

    您要驱动的负载大小是多少? 当您说它"不起作用"时、您意味着您无法获得满量程电流范围(一直到+/-200mA)或其他东西?

    谢谢、

    Jon

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    尊敬的 ByungJin:

    遗憾的是、数据表中的电路绘制错误;NMOS T2的方向错误。  根据其绘制方式、源极连接到输出端、漏极连接在电阻器 R2上。  这会导致 NMOS 体二极管从输出端连接到 R2。 这是不正确的。

    下图显示了正确的方向。  在下面的原理图中(设置电路中的类似电压)、AM1测量的电流为200mA、这是正确的电流值。  NMOS T2应始终灌电流为200mA、PMOS T1将提供0mA 至400mA 的电流、从而使输出电流摆幅为-200mA 至+200mA。

    您可以反转漏极和源极连接、然后重试吗?

    此致、

    Mike

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    在根据情况进行测试时、T1 (Q1)或 T2 (Q3) FET 会产生大量热量。
    问题是什么?

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    尊敬的 ByungJin:

    我希望 FET 变热、该解决方案中会耗散大量功率。  当正常工作时、T2将始终灌入~200mA、并且、流经 T1的电流将为0至400mA、具体取决于信号振幅。  在峰值输出电流时、400mA 将通过 T1传导、如果 IO 节点以接地为基准、则意味着仅 T1将消耗15V*0.4A = 6W 的功率、而 T2将消耗15V*0.2A = 3W 的功率。

    您肯定应该注意 T1和 T2上的热耗散。 请务必遵循最佳的热布局实践、并确保器件与电路板或散热器之间具有良好的导热性、从而更大限度地降低这些 FET 上的裸片温度。

    此致、

    Mike

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    谢谢你。

    然后、如何将其修改为+/-10mA 电路?

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    尊敬的 ByungJin:

    第一步是将流经 T2和 R2的灌电流从200mA 降低到10mA。  这可以通过将 R2增加到100欧姆来实现。

    第二步是将流经 T1的电流从0mA 更改为400mA、再更改为0mA 至20mA。  这里有几个选项。  考虑到您已经连接了图8、第一个选项是最简单的、 即将 R1的电阻从2欧姆更改为40.2欧姆。 (大20倍)。

    第二个选项允许您在 XTR110上使用内部电阻器、但您需要更改配置。  XTR110允许在无需额外的感测电阻的情况下实现0mA 至20mA 设置、如图1所示:

    为此、您需要将 SENSE 连接从 R1 (如图8所示)更改为 引脚1;因此、您需要移除 R1、并将 T1的源极连接到引脚1。  然后、引脚9和10将连接到 GND (与表中的 COM 相同)。  此外、引脚3需要连接到引脚15和12。   

    第二个选项的优点是精度更高、因为所使用的电阻器在 XTR110内部、并且该电阻器与 XTR110内部其他电阻器之间的比率将匹配。

    此致、

    Mike

     

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    谢谢 Mike

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    尊敬的 Mike:

    请再检查一个。

    如果我想制造+/-20mA 电路、必须更改一些电阻。

    R2 -> 50欧姆、R1 -> 20欧姆

    权利?

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    尊敬的 ByungJin:

    是的、没错-请告诉我您是否对这些配置有任何问题。

    此致、

    Mike