您好,
我想使用 XTR110 +/-200mA AO 电路、但它不起作用。
它的设计如 数据表第9页所示。
我找不到 IR9513、IR513和 IRFF9113、因此我使用 了 RD3L01BATTL1、 FDD86381-F085和 RD3L140SPTL1作为替代品。
请检查我的电路。
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尊敬的 ByungJin:
遗憾的是、数据表中的电路绘制错误;NMOS T2的方向错误。 根据其绘制方式、源极连接到输出端、漏极连接在电阻器 R2上。 这会导致 NMOS 体二极管从输出端连接到 R2。 这是不正确的。
下图显示了正确的方向。 在下面的原理图中(设置电路中的类似电压)、AM1测量的电流为200mA、这是正确的电流值。 NMOS T2应始终灌电流为200mA、PMOS T1将提供0mA 至400mA 的电流、从而使输出电流摆幅为-200mA 至+200mA。
您可以反转漏极和源极连接、然后重试吗?
此致、
Mike
尊敬的 ByungJin:
我希望 FET 变热、该解决方案中会耗散大量功率。 当正常工作时、T2将始终灌入~200mA、并且、流经 T1的电流将为0至400mA、具体取决于信号振幅。 在峰值输出电流时、400mA 将通过 T1传导、如果 IO 节点以接地为基准、则意味着仅 T1将消耗15V*0.4A = 6W 的功率、而 T2将消耗15V*0.2A = 3W 的功率。
您肯定应该注意 T1和 T2上的热耗散。 请务必遵循最佳的热布局实践、并确保器件与电路板或散热器之间具有良好的导热性、从而更大限度地降低这些 FET 上的裸片温度。
此致、
Mike
尊敬的 ByungJin:
第一步是将流经 T2和 R2的灌电流从200mA 降低到10mA。 这可以通过将 R2增加到100欧姆来实现。
第二步是将流经 T1的电流从0mA 更改为400mA、再更改为0mA 至20mA。 这里有几个选项。 考虑到您已经连接了图8、第一个选项是最简单的、 即将 R1的电阻从2欧姆更改为40.2欧姆。 (大20倍)。
第二个选项允许您在 XTR110上使用内部电阻器、但您需要更改配置。 XTR110允许在无需额外的感测电阻的情况下实现0mA 至20mA 设置、如图1所示:
为此、您需要将 SENSE 连接从 R1 (如图8所示)更改为 引脚1;因此、您需要移除 R1、并将 T1的源极连接到引脚1。 然后、引脚9和10将连接到 GND (与表中的 COM 相同)。 此外、引脚3需要连接到引脚15和12。
第二个选项的优点是精度更高、因为所使用的电阻器在 XTR110内部、并且该电阻器与 XTR110内部其他电阻器之间的比率将匹配。
此致、
Mike