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[参考译文] AMC1100:模拟信号调节电路

Guru**** 654100 points
Other Parts Discussed in Thread: ADS1234, XTR105, ISO124, RCV420, AMC1100, ISO224, AMC1336, ADS131M04, ADS131A04, ADS131E04, REF70
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/996993/amc1100-analog-signal-conditioning-circuit

器件型号:AMC1100
主题中讨论的其他器件:ADS1234XTR105ISO124RCV420ISO224AMC1336ADS131M04ADS131A04ADS131E04REF70REF7025

尊敬的先生/女士:  

我们具有以下从客户端到感应模拟输入的规格。 我们计划在此 项目中使用 TI 的 ADC:ADS1234。  

(二

• 8通道差分模拟输入。
• 4/8通道(模拟输入:0-5Vdc、1-5Vdc、4-20mAmp、0-20mAmp)。 精度< 0.008% fs。 板载250 Ω 分流电阻器、可针对 mA 类型输入进行选择。 mV 类型输入的输入阻抗为1MOhm。


• 4/8通道(RTD 输入–PT100类型)。 -140 -+220度 C。 分辨率0.01度 摄氏度。 在相同的设计中、这些
4通道也可选作模拟输入(模拟输入:0-5Vdc、1-5Vdc、4-20mAmp、0-20mAmp)。 具有相同规格
在上面的点指定

(二

从隔离和精度的角度来看、我们需要最佳的模拟前端具有成本效益的解决方案。 从下面两个选项中、 我们需要选择哪一个选项以及这两个选项之间的优缺点。 我们需要在明天结束时向客户提交报价。 您最早的回答将对我们大有帮助。  

选项:1我们将按照附加的参考设计图像中所示使用 ISO124+XTR105+RCV420组合。

选项:2我们将使用 AMC1100全差动隔离放大器


  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Himanshu、

    我不熟悉 XTR105或 RCV420、我仅支持 AMC1100和 ISO124、因此我可以与这两个器件进行通信。  

    AMC1100和 ISO124都是较旧的器件、而我们的两个领域都提供了较新的器件。  

    ISO124适用于具有+/-10V 输入的高电压感应。 ISO224是 ISO124的更新版本、其优点是无需双极电源和更高的精度。  AMC1100用于具有+/-250mV 输入、低输入阻抗输入的电流感应。 该器件也可用于电压检测、但较小的输入范围不适用于高电压测量、因为高电压测量中的系统噪声可能会对测量产生很大影响、并且不符合您的1Mohm 标准。  

    我建议您查看 AMC1211。 该器件适用于单极测量、具有高输入阻抗。  

    所需的隔离性能水平是多少? 基本型还是增强型?  

    精度< 0.008% FS 是一个非常精确的规格、需要14个无噪声和无误差位。 您计划对系统执行哪种校准?  

    您可能需要考虑升级到 AMC1336等隔离式 ADC 以获得更高的性能、或考虑在高侧使用 ADC 和数字隔离器。  

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    您好、Alexander、  

    非常感谢您的及时建设性支持。  

    实际上、客户端要求我们以单路和差动方式支持0-5VDC、4-20mA 类型的模拟输入。 我们认为 AMC1100可以在两种模式下工作(通过将其他线路端接至接地差分来实现单端)。 模拟输入范围(满量程)将始终为0-5V。 通过放置250欧姆分流电阻器、我们计划将4-20mA 转换为0-5V 满量程范围。

    AMC1211A 和 ISO224都不支持 AMC1100等差分模拟输入测量。  

    您的积分对于 AMC1100有效、其输入范围为+250mV。 因此、我们当然需要将其从我们的选择列表中删除。 让我们了解一下、我们如何才能通过该器件来满足1M Ω 标准、从而改善我们的知识库。  

    我们计划使用 ADS1234 Sigma-Delta ADC。 从这个角度来看、我们不需要丰富的 ISO 运算放大器、而是需要满足以下基本要求的 ISO 运算放大器。

    我们需要达到满量程的最小0.008%精度水平。 这里是满量程0-5V、那么我们的精度水平将最小为0.4mVolt。 因此、如果考虑 AMC1100、它具有以下因素、我们将通过250Ohm 分流电阻器实现4-20mA 输入检测的精度水平。 如何计算相对于  以下参数的模拟输入电压精度电平是我们的主要关注点。 请提供一个示例计算、以便我们可以估算通过运算放大器隔离栅并到达 ADC 模拟输入后的模拟输入电压精度。 我已选择 AMC1100进行采样计算。 我们认为、如果模拟输入需要隔离、任何器件都不会满足0.008%的精度。 请告诉我们您的宝贵观点。 因此、我们可以相应地通知客户。

    •低失调电压误差:最大值1.5mV
    •低噪声:典型值3.1mVrms
    •固定增益:8 (精度为0.5%)
    •增益误差:+1%
    •非线性度:0.075%

    2.基本隔离可以正常工作。 最好是增强型。  

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    您好、Himanshu、

    很高兴为您提供帮助。  

    以单端或差分方式测量这些值之间没有差异。 对于我们具有差分输入的器件、负输入通常连接到 GND、以便正输入以单端方式在负值周围摆动。  

    如果您查看 AMC1100数据表并搜索"输入电阻"、您将看到典型值为28k Ω。 一种选择是向前端添加缓冲器电路、以增加输入阻抗。  

    以下是一款 AMC 电压感应计算器、可为 您提供帮助:https://www.ti.com/lit/zip/sbar013

    AMC1100未包含在该计算器中、因为输入结构与我们较新的器件不同、我附加了另一个版本、其中包含一些示例计算、可帮助您进行分析。   

    当您说"0.008%的满量程精度水平"时、您意味着信号链必须测量 到该水平的分辨率而无误差(NFB)、还是这是分辨率(LSB)要求?

     

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    您好、Alexander、  

    感谢您的大力支持。

    是的、我们需要将 信号测量到该分辨率水平而不产生误差(NFB)、以实现0.008%的精度。 让我举几个例子来作进一步说明。  

    示例1:0-5VDC  

    5Vdc 是满量程模拟输入电压范围。 0.4mV (5x0.008%)是读取模拟输入电压时允许的最大偏差。 通过 ADC 读取的 x+0.2mV 值是可以接受的;其中 X 是实际值。  

    例如、模拟输入电压实际值为3.3645VDC、因此客户可以通过我们的模拟卡读取该值为3.3645V+0.2mV、即从模拟卡读取的值必须介于3.364V ~ 3.3647V 之间  

    示例2:0-20mA

    使用容差为0.01%的高精度分流电阻器250欧姆、我们将0-20mA 范围转换为0-5VDC、并应用示例1中所示的相同精度标准。

    我已经检查了您的电子表格、这对我们非常有帮助。 ISO224B 更接近我们的要求。 在应用增益和偏移校准后、我们将实现0.52mV 误差和5Vrms t。 我们的实际要求< 0.40mV

    考虑到分流电阻器容差、ADC 容差、系统本底噪声等其他因素、如果我们能够使用任何合适的 ISO 运算放大器(基础型或增强型)获得或实现总误差< 0.3mV 的 r.t 5Vrms、那么它肯定适合我们的项目。

    由于 AMC1100或其他相关的 ISO 运算放大器具有 +250mV 的低模拟输入电压范围、因此我不考虑使用它。

    如果增益为1、ISO224B w.r.t 5Vrms 的总误差是多少? 您在电子表格中使用增益2.2计算得出的值。 如果增益降低、可能会出现低误差。  

    如果我对任何参数或计算进行了误解或误解、请为我提供指导、因为我在这个敏感的模拟领域中有点陌生。

    您可以根据我们的项目要求建议任何合适的 ISO-OPAMP。  

    提前感谢。  

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    您好、Himanshu、

    感谢您澄清精度要求并提供一些示例计算、这有助于我更好地理解。

    工作温度范围是多少? 您是否更改了输入设置中的温度范围?  

    ISO224B 增益为1/3、而不是2.2、我们所有隔离式放大器的增益在内部都是固定的。 对于信号链误差计算、更改增益只 会将偏移误差加倍、因为它是静态的、增益和线性误差基于百分比、因此无论信号链增益如何、误差都存在。  

    如您所述、ISO224B 接近但不完全符合精度要求。  我建议查看 AMC1311B、在0/1-5VDC 的前端需要使用分压器、但如果 执行增益和偏移校准、则会校准初始容差误差。 温度漂移将成为最主要的误差源。  

    如果 AMC1311B 无法满足精度要求、则需要研究替代架构、例如使用隔离式调制器(AMC1336)和 SDFM、或在高侧使用 ADC 以及数字隔离器。  

    请告诉我 AMC1311B 是否满足您的要求、或者您是否有兴趣探索新架构。  

    。  

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    您好、Alexander、

    非常感谢您的积极支持。 我们非常感谢您的辛勤努力和宝贵的指导。

    我已经检查了 AMC1311B 器件、它的精度很高、看起来很有前景。 我们装置的环境工作温度范围最大为50°C。  

    关于 AMC1311B、我已从数据表中提取值、并将其放入给定的扩展表中并粘贴到下表中。 我在增益+偏移校准后在整个温度范围内获得141ppm、与 ISO224 1相比、该值仍然很高。

    我觉得输入数据表中任何一个参数时出错、可能是输入偏移误差。 您能否重新验证并更正以下有关 AMC1311B 器件的表格? 我有一种强烈的直觉、即 AMC1311B 将解决我们的目标。

    温度范围:100

    AMC1311B      ppm  
    增益误差 最大 0.05%                   500   
    输入偏移误差 最大 1.5mV                   500   
    INL 最大 0.010%                   100   
    INL 漂移 最大 1ppm/°C                   100   
    输入失调漂移 最大 µV μ V/°C                   333.   
    增益漂移 最大 40ppm/°C               4、000   
    总体误差25C                       714)   
    温度范围内的总误差                   4、078   
    偏移校准后                   4、047   
    2点增益+偏移校准之后                   4、016   
    增益+偏移校准后的温度变化                       141.   

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    您好、Himanshu、

    计算有几个错误、一些错误框是硬编码的、因此更改规格单元本身不会修改 ppm 计算。 此外、需要将温度范围设置为25。 (50c - 25C 环境温度= 25C)。 还有一些电池的典型值/最大值是混合的、因此我在考虑最大值和典型值的情况下重新计算了这两个器件的值。  

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    尊敬的 Alexander:

    非常感谢您的数据验证和校正。 比较后、ISO224B 看起来比 AMC1311B 更准确。  

    是的 AMC1311B 具有非常高的输入阻抗以及低增益误差和输入失调误差、但在对所有误差求和后、ISO224B 的性能良好。  

    您能否告诉我、与 ISO224B 相比、AMC1311B 在0.008%的范围内是否可以俯瞰任何好因素?

    请指导我。  

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    您好、Himanshu、

    0.008%是80ppm 的误差、或者与您说过的5V 输入相比、0.4mV 的误差。 如果您计划在整个温度范围内进行增益和偏移校准、并且 ISO224B 典型误差值正常、则这将起作用。 如果您需要设计最大误差值、那么 ISO224B 不符合要求、我们将需要探索新架构。    

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    尊敬的 Alexander:

    感谢您提供清晰的信息指导。 我从你们那里学到了很多好东西。 我更倾向于选择 ISO224B。 在完成本部分之前、我需要几个最终确认、以保证我的安全。

    与其他器件相比、ISO224B 在增益和偏移误差以及偏移误差漂移方面落后。 但是、在 整个温度范围内进行增益+偏移校准、我们可以消除这些误差、请确认我的理解。

    2.很高兴知道 ISO224B 在典型误差值下是可以的。 考虑 到 ISO224B 的最大误差值表、我们可以对产品要求多高的精度(仅针对 ISO224B)? 我考虑同样的预算为0.0011%(即110ppm)。

    3.将 ISO224B 的标称增益值修正为1/3。 在扩展表中,它被称为“解决方案输出增益:2.2"。 请澄清

    4、 考虑 ISO224B 的最大误差值、  我们可以要求的最高工作温度是多少(仅限 ISO224B)?

    5.下面的问题对你来说可能是愚蠢的,但对澄清我的疑虑非常有用。 请指导我。  

    • 如果存在+5mV 误差、在 PPM 计算期间、我应该考虑10mV 误差吗?
    • 在 ISO224B 的 spred-sheet 中、您可以考虑100 Deg 温度范围。 25°C 环境温度+ 100°C 或25°C + 50°C 时的考虑因素  
      • 例如 ,我计划使用高精度分流电阻器(P/N: RNCF0603TPY100R;容差0.01)。 它具有5ppm/Deg C、我需要在-40°C 至85°C 的最大温度范围内操作我的卡。在计算预算时、我需要考虑什么 PPM 值。 请告诉我计算方法、以便我可以应用到我将在信号链路径中使用的所有其他外设/器件。  


    今天的会议非常适合与客户会面。 我们的分析给他们留下了深刻的印象。 所有的积分都将提供给您 Alexnander。
    根据我们与他们的通信、可以将此模拟卡的精度级别降低0.01%。 我可以说服他们看起来是这样的。  

    如果我要使用 ISO224B、请提供您的建议如果我们的模拟卡最大工作温度范围为85°C、那么我们可以安全地为 ISO224B 声明什么精度级别? 另外、让我们知道-40°C 时的同一个数字? 考虑到行业工作温度范围、我的情况更糟。  

    我还需要选择分流电阻器和 Σ-Δ ADC 器件、因此我需要为它们留出足够的裕度。 您的宝贵指导对我大有帮助。  

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    您好、Himanshu、

    我很高兴。 我很高兴为您提供帮助、也很高兴听到您与客户的会面进展顺利!

    1.正确。 增益和偏移误差是由制造容差变化引起的。 校准完成后、误差将被消除。  

    2.这 取决于您的营销目标和制造能力。 如果您希望降低精度、则在制造过程中可能需要进行额外的返工(即用另一批次的 IC 替换一个 IC)。 由于您计划在温度范围内执行增益和偏移校准、因此制造过程将非常密集。 我建议您观看 TIPL 系列中的5.1和5.2、以了解器件的指定方式以及如何执行偏移和增益校准: https://training.ti.com/ti-precision-labs-adcs-statistics-behind-error-analysis

    3、这是之前的计算结果中的一个伪影、我在信号链中有多个分量。 我想看看每个 IC 的误差贡献在信号链的末尾。 偏移误差是下行增益的倍数、而增益和线性误差以百分比表示、不受下行增益的影响。

    ISO224B 的额定工作 温度范围为–55°C 至+125°C 我计算的误差值考虑了0C 至50C 的变化。

    5A。 这取决于您的满量程范围以及您希望如何计算。 我通常会计算单极范围内的误差、因为我觉得它更简单。 例如、ISO224B 的输入范围为+/-12V。 您可以考虑+/-5mV 为10mV、并将该误差除以24V (+/-12)-这与5mV 除以12V 相同。  

    5B。 漂移计算的温度幅度指定为最大/最小工作温度与环境温度之间的增量。 125 °C 至25°C 的环境温度范围为100°。 在-40°C 至85°C 的温度范围内、测量从最小值/最大值到环境值的增量、并使用较大的值作为温度。 ABS (-40 -25)= 65;ABS (85 - 25)= 60。 因此、65是需要考虑的适当值。 由于您计划执行增益和偏移校准、因此您可能需要考虑使用容差更高的电阻器并降低价格。 极低容差组件最适合不使用校准的系统。 仅20mA 和250m Ω 时、0.1W 应该正常。  

    温度= 60:(85C - 25C);温度= 65C (-40 - 25)

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    尊敬的 Alexander:  

    非常感谢您的宝贵支持。

    我在我们的设计中选择 ISO224B 时考虑了-40°C 至+85°C 温度变化范围内的最大误差值104ppm。 我的问题几乎得到解决。 在接下来的两天内、我计划提交系统架构方框图和相关错误预算、并将获得批准。  

    如果客户在这方面有任何疑问、请在接下来的几天内与我联系。 提前感谢。  

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    您好、Alexander、  

    我想在这个高精度模拟卡中实现自动自校准机制。 我已经修复了 ISO224B、如您所知。  

    现在、我将检查 ADS131M04;Σ-Δ ADC、24位、内置增益和偏移校准支持。

    I Wan 可在整个温度范围内使 ISO224B、增益和偏移误差无效。  

    2.我在模拟卡上实施了温度传感器。  

    3.根据温度传感器读数,如何设置按需增益和偏移校准。 我计划读取工业环境的温度并启动自动自校准周期。 自动自校准周期将根据用户需求或每3小时启动一次。  

    例如、温度 传感器读取温度30°C。增益和偏移误差分别为0.1%和5mV。 假设增益误差和偏移误差相对于每个温度值存储在存储器中。 我们可以根据温度传感器读数使用这些增益和偏移误差数字。   

    在下一个用例中、温度传感器读取温度60°C。增益和偏移误差分别为0.2%和12mV。

    在 这两种用例中、我需要如何使用 ADS131M04内的增益和偏移校准寄存器来消除增益和偏移误差。

    我知道对 ADS131M04的支持不在部分中、但我需要您的初步指导。  

    提前感谢。  

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    您好、Himanshu、

    对拖延答复表示歉意。  

    ADS131M04是开始此应用评估的合适选择、该器件具有内置的增益和偏移校准寄存器。 增益和偏移校准寄存器值必须从外部馈送并存储在非易失性外部存储器中。 因此、需要在制造时为每个电路板生成这些值、然后将这些值存储在每个电路板的本地。 由于您希望在整个温度范围内应用增益和偏移校准、因此您需要多个增益和偏移校准值、因为它们会随温度的变化而变化。 然后、正如您所说的、根据温度传感器的测量值、您可以选择将哪些增益和偏移校准值加载到器件并应用于测量。  

    在制造时、将需要一个非常精确的电压源和一个温度室。 2点校准是标准的、典型值(例如 FSR 的20%和80%(0-5V 输入为1V 和4V))是合适的。 在1V 和4V 的信号链输入端施加源、并记录测量值以在它们之间生成传递函数。 然后将此传递函数与 理想传递函数进行比较、 以计算增益和偏移校准值。 更改温度并根据需要重复、至少需要1个附加点。  

    此主题可能有助于解释错误以供参考: https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/937333/amc1302-q1-what-do-tceg-nonlinearity-and-tceg-nonlinearity-drift-mean/3463286#3463286

    如果需要比 ADS131M04更高的性能、我建议查看 ADS131E04或 ADS131A04。 如果您有其他问题、请告诉我。  

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    您好、Alexander、

    非常感谢您的支持。  

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    e2e.ti.com/.../DUT_5F00_Calibration-.xls

    您好、Alexander、

    我上传/附加了"器件校准计划 Excel"扩展表以及"系统"方框图。 请提供您的宝贵建议、尤其是关于器件校准的整体建议和特别建议。     

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    您好、Himanshu、

    您似乎计划进行极其全面的校准、从-20°C 至90°C、每个组件以10°C 为增量、并具有5个参考点。 我的理解是否正确?  

    我不确定您计划生产多少块电路板、但如果精度允许、我建议您只校准信号链输入到输出。  

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    您好、Alexander、  

    感谢您的反馈和支持。  

    您的理解是正确的。 以消除我需要执行的所有误差因素。 但我仍然无法使 ISO224B 的 INL 和 INL 漂移无效。 是否有任何校准方法/步骤、请指导我。  

    您建议"只需校准信号链输入到输出"、您能更详细地阐述一下吗? 如果与我建议的校准方法相比、这将是一种高效的校准方法、那么我一定会实施它。

    我们需要提供10块电路板。  

    我唯一的问题是、我们是否需要为每个电路板运行校准?

    我能否在单板上运行完全校准并对所有10个板应用增益和偏移校正、以及以后在大规模生产中应用这些数字?

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    您好、Himanshu、

    如果 您要记录许多校准点、我希望您将抵消一些 INL 和 INL 漂移误差。  

    从随附的 Excel 文件中、我认为您计划校准信号链的各个组件、而不是整个信号链。 这种理解是否正确? 为了进行校准、我建议将精确输入应用于信号链的开头、无论信号源是什么、然后在 MCU 上记录最终输出。 通过这种方式、可以考虑信号链中的所有组件以及它们之间的行为方式。  

    为了满足这些精度要求、是的、您需要校准每个电路板。 但我认为您在如此多的温度下进行测试不会有太多好处、我建议在更少的温度点进行测试以节省时间。

    IC 误差因器件和批次而异。  

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    您好、Alexander、

    感谢您的快速响应。  

    您的理解是正确的。

    我计划对信号链的各个组件进行校准、最后累加所有误差因子、并尝试使用 ADC 的 GAINCAL 和 OFFSETCAL 寄存器。 实际上、客户已要求我们 在 外部校准支持的基础上实施内部板载自校准功能。  

    因此、在这种情况下、我需要从电路板本身生成精确的模拟输入、这些输入根据工作温度范围进行适当校准、并将其馈送到 ISO224B 输入侧。 精密值模拟输入、我将通过电压基准芯片(高精度电阻 分压器网络)生成。 然后、这是我的流程中针对电压基准芯片输出和针对工作温度范围的高精度分流电阻值偏差输入的额外校准过程。 请检查更新的方框图以方便您参考。  

    • 为了读取此卡的环境/工作温度、我们引入了温度传感器。
    • 对于每个温度范围(50C 跨度或100 C 跨度)、我们都有增益和偏移校正值、这些值将存储在非易失性存储器(SPI 闪存)中
    • 在开始器件测量操作或每30分钟定期检查之前、这些 GAINCAL 和 OFFSETCAL 值将在 ADC (来自 SPI 闪存查找表值)中针对环境温度值进行设置。
    • 我是否需要校准 ADC ADS131M04的每个通道?

    因此、考虑到内部板载自校准方法、我已经执行了所有表格来考虑每个组件容差。 如果我正在执行额外的流程、或者是否可以进行优化以节省时间、请向我提供指导。  

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    您好、Himanshu、

    我不建议查看每个单独的组件、而是查看每个单独的信号链。  因此、您需要校准 ADS131M04的每个通道以确保最高精度。  

    我建议查看 REF70系列以获得精确的器件输入: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/ref70.pdf

    一种可能获得额外好处的巧妙方法是利用具有 REF70输出的高侧开关将电压从正电压切换到负电压。 这样、只需一个 REF7025即可获得两点(即+/-2.5V)。  

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    您好、Alexander、  

    我明白你的观点。 我个人希望避免对每个组件进行校准。  

    客户要求我移除隔离层并消除 ISO224B。 我已经告诉过、这将不是一个好的解决方案、由于公共接地引起的外部场噪声、读数将受到很大的影响。  

    我已尝试说服客户删除板载自校准方法。 从客户角度来看、反应似乎是积极的。  

    根据温度传感器、相应的增益校准和偏移校准值将存储在 I2C 闪存中(可能是 MCU 的内部闪存)

    我引入了小型低成本 MCU。 在外部校准阶段、使用已知的精确模拟输入时、微控制器将通过 SPI 总线访问 ADC、并记录各种温度范围(50°C 跨度或100°C 跨度)的增益和偏移校正值。

    有 SPI 多路复用器总线开关、因此 MCU 或主板 处理器将访问 ADC。

    在每次电源再循环期间、MCU 将获取周围环境的温度值、并根据外部校准阶段转储的每个记录的数据在 ADC 中设置增益和偏移校正。

    在 ADC 内设置增益和偏移 CAL 设置后、MCU 将释放 SPI 总线访问并将其提供给 SOM 处理器。

    因此、根据项目规范、无论在何处安装高精度模拟卡、在每次电源回收期间、它都将扫描温度并设置增益偏移校正数据、并通过释放 SPI 总线将 ADC 的访问权移交给 SOM 处理器。

    我在这里更新了方框图并随附了此电子邮件、方便您参考。

    请提供您宝贵的观点。  

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    您好、Himanshu、

    我认为您的思考过程和电路配置看起来很可靠。 我认为最大的挑战仍然是制造和校准过程。  

    如果您有其他问题、请告诉我。  

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    您好、Alexander、  

    感谢您的建议。 客户正在查看我们的方框图和校准流程。  

    根据您的最新反馈、我想知道您在制造和校准过程中遇到了哪些其他挑战。  

    我可以理解与制造工艺相关的挑战、即严格控制原型和大规模生产批次中的电路板组装变化以及一致的统一组装工艺。 如果我错了、请更正我? 请提供这方面的建议、以便我能够相应地指导 PCB 组装部门。  

    在对所有通道使用温度传感器应用上述校准流量后 、我们是否还需要面临其他挑战? 请提前告知我有关校准的实时问题(未见的挑战)、以便我可以提前采取每种可能的行动、并为我的客户做好心理准备。  

    提前感谢。  

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    您好、Alexander、  

    请在我的上一封电子邮件中提供您的宝贵意见。  

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    您好、Himanshu、

    我想不出我们目前能够解决的任何其他挑战。 如果我想得到任何东西、我会提请您注意。  

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    您好、Alexander、

    感谢您的支持。 我将继续讨论您建议的解决方案。 如果我遇到任何问题、我会告诉您。