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器件型号：TLV9002 我的设计将其中的许多运算放大器用作高阻抗缓冲器。 在服务了几个月后,我发现一些部件的背面和下面的焊层受到污染。 激光诱导的击穿光谱显示,它是一种具有高铜百分比的有机化合物。 我看到的泄漏电流高达微安。 污染物似乎会从焊球中扩散、最终 桥接它们、从而导致泄漏。
虽然电路板上还有许多其他器件、但似乎仅在这些器件上存在污染。 这是电路板上唯一使用的芯片级封装。 所有其他 IC 均采用塑料封装。
DSBGA 芯片级封装的结构中是否存在任何使其更容易受到污染问题的影响？
