你好 :)
OPA4H199-SEP 的数据表表明、它能够耐受大容性负载(电容为5nF、Riso 为50欧姆)。 在我们的应用中、我们希望将 DAC 控制的直流偏置转到传感器。 该传感器的数据表建议在每个直流偏置上使用大约15uF 的本地去耦-其中一些偏置需要具有<10uV RMS 电平的集成噪声。 此放大器可实现这一点吗? 也许您对确保稳定性的薪酬策略有建议。 我实际上还没有尝试进行仿真、请告诉我模型是否足够准确。
感谢您的帮助!
亚当
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OPA4H199-SEP 的数据表表明、它能够耐受大容性负载(电容为5nF、Riso 为50欧姆)。 在我们的应用中、我们希望将 DAC 控制的直流偏置转到传感器。 该传感器的数据表建议在每个直流偏置上使用大约15uF 的本地去耦-其中一些偏置需要具有<10uV RMS 电平的集成噪声。 此放大器可实现这一点吗? 也许您对确保稳定性的薪酬策略有建议。 我实际上还没有尝试进行仿真、请告诉我模型是否足够准确。
感谢您的帮助!
亚当
您好、Adam:
和几个100nF 电容器。 此输出设置在相位上稳定、平滑地从+90度(运算放大器低 Zout)转换到-90度(低电容 Zout)。
最大 Zout (2.3kHz 时为4欧姆)可以左移或右移、但必须在某个位置。 因为消耗的噪声为1uVrms
需要多大的电流?
找到有关输出稳定性的此 TI 应用手册、并查看 Zout。 我猜、这就是您直观地做的事情吗?
Adam:
可以很容易看出、由于 R1反馈超过了任何 R3电压损失、因此直流是正确的
另一个容易看出的地方是、高频交流使用 C3来反馈信号、其相位损耗比 R3的右侧更小。