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[参考译文] LM339：LM339的上拉电阻设计方法

admin
Guru**** 2625265 points

Other Parts Discussed in Thread: LM339

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1385489/lm339-pullup-resistor-design-method-of-lm339

器件型号：LM339

工具与软件：

大家好、团队成员：

客户询问 LM339的上拉电阻器设计方法、我可以在数据表中找到以下规格、您能帮助我进一步了解如何使用 IO、LMS-LKG IOH、IOL 吗？ IOL 的测试条件是什么意思、VOL 和 VID 是什么意思？ 非常感谢！

BRS、

Francis

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    TI__Guru**** 2625265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Francis：

    请参阅 LM339系列应用手册的第6节和6.2节：

     用于 LM339、LM393、TL331系列比较器的应用设计指南

    VID 是输入差分驱动电压-因此在输入之间施加-1V 的电压以将输出强制为低电平(输出晶体管导通)。

    输出被强制为低电平并灌入4mA、并且低电平输出两端产生的电压为 VOL (下图中的"Y"轴)：

    灌入的电流(IOL)越大、输出端(VOL)的电压就越高。

    IOL - LKG 是输出为高电平(未导通)时"泄漏"的电流大小。 因此、当输出为高电平时、有几 nA 电流流向 GND。 通常情况下、您无需担心这个电流、除非您使用非常高值(>10M)的上拉电阻器。