[参考译文] TMS570LC4357：ADC10奇偶校验位内存映射未清除

[引用 userid="430202" URL"~/support/microcontrollers/arm-based microcontrollers-group/arm-based microcontrollers/f/arm-based microcontrollers-forume/1108259/tms570lc4357-ADC10-parquial-bitse-memory-mapping not clear"]我如何知道在0xFF3E0000+quot[？]

它是最低有效位。  

0xFF3E0028处的值的奇偶校验是0xFF3E1028处的值的最低有效位(0xFF3E0028+0x1000)。

[引用 userid="430202" URL"~/support/microcontrollers/arm-based microcontrollers-group/arm-based microcontrollers/f/arm-based microcontrollers-forume/1108259/tms570lc4357-ADC10-parquial-bits 内存映射-不清除"]、即翻转0xFF3E0006U+0x1000U+0x0004U+0x1000U+0x1000U+0x1000U]。

0xFF3E0006U + 0x1000U 处的值不应翻转。 它始终为0x0。 它是4字节对齐的。  

[引用 userid="430202" URL"~/support/microcontrollers/arm-based microcontrollers-group/arm-based microcontrollers/f/arm-based microcontrollers-forume/1108259/tms570lc4357-ADC10-parquial-bits-memory-mapping no-clear"](Q1)如何知道地址0x3Loc 将奇偶校验位映射到0x3Loc 字的地址？

您可以修改0xFF3E0004处的值(翻转1位)、并检查0xFF3E1004处的 lsb 是否更改。

[引用 userid="430202" URL"~μ C/support/microcontrollers/arm-based microcontrollers-group/arm-based microcontrollers/f/arm-based microcontrollers-forume/1108259/tms570lc4357-ADC10-parquial-bits-memory-mapping no-clear"](Q2)当引用仅支持32位 ADC/RAM 时、为什么需要8位访问？]

数据表显示 ，在测试模式下，只允许对 ADC 结果的 RAM 进行32位读取和写入。 因此、我建议进行32位访问、而不是8位访问。  

您好 QJ、

翻转 LSB 仅对我有效、对奇偶校验 RAM 具有8位访问权限、如果我尝试使用32位访问权限、则不会发生任何情况。

奇偶校验 RAM 是否仅支持8位访问？

此外、参考手册建议32位字(16位数据为1位)有2个奇偶校验位(第22.2.7.3章)、但当使用调试器查看奇偶校验 RAM 时、32位字似乎只有1个奇偶校验位。 这是否是参考手册中的错误？

[引用 userid="430202" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forume/1108259/tms570lc4357-ADC10-parquia-bits-memory-maping-not clear/4107830#4107830"]奇偶校验位是否仅支持8RAM[引用]奇偶校验位访问？

实际上、我们可以从我的测试中执行8位访问或32位访问。 TRM 不准确。 32位字或17位有1个奇偶校验位(高15位保留、不会影响奇偶校验)。

我需要仔细检查它。

我的测试代码：

#define adcRAM1 (*(volatile UINT32 *) 0xFF3E0000U)
#define adcRAM1_B0 (*(volatile uint8 *)(0xFF3E0000U + 0x3U)

#define adcPARRAM1 (*(volatile UINT32 *)(0xFF3E0000U + 0x1000U))
#define adcPARRAM1_B0 (*(volatile uint8 *)(0xFF3E0000U + 0x1000U + 0x3U)

void adc_parati_test ()
｛
     易失性 uint32 adcramread = 0U；
     uint32 adcparccr_Bk = adcREG1->PARCR；

/*用户代码开始(61)*/
/*用户代码结束*/

adcInit()；

adcREG1->OPMODECR &= 0x7FFEFFFF；
adcREG1->OPMODECR |= 0x80010000；//12位(位31)、启用 ADC RAM 测试模式(位16)

/*设置 PARCR 中的 TEST 位并启用奇偶校验*/
adcREG1->PARCR = 0x10AU；

adcRAM1 =~(adcRAM1)；//翻转所有位
adcRAM1 =~Ω(adcRAM1)；//翻转所有位
adcRAM1_B0 =~(adcRAM1_B0)；//翻转最小字节的位
adcRAM1_B0 =~(adcRAM1_B0)；//反转最小字节的位

/*反转 ADC1 RAM 第一个位置内的奇偶校验位*/
adcPARRAM1 =~(adcPARRAM1)；
adcPARRAM1_B0 =~(adcPARRAM1_B0)；//反转 lsb
adcPARRAM1_B0 =~(adcPARRAM1_B0)；

/*清除测试位*/
adcREG1->PARCR = 0x00AU；

/*此读取操作将触发奇偶校验错误*/
adcramread = adcRAM1；

您好 QJ、

因此、TRM 中存在错误、我们可以继续使用8位访问来安全地翻转分区 RAM 中的 LSB。

尊敬的 Max：

在我的测试中，我认为“在此测试模式下，只允许对 ADC 结果的 RAM 进行32位读取和写入”这一说法是不正确的。 您可以在8位模式下访问存储器吗？

您好 QJ、

是的、8位访问和翻转 LSB 似乎有效。