[参考译文] TMS570LC4357：闪存写入只能执行一次

尊敬的 Bob：

在闪存扇区被擦除后、闪存扇区的内容变为0xFFFFFFFF。 闪存程序操作只能将闪存位单元从1翻转为0。 因此、在将数据写入闪存扇区之前、您需要擦除该扇区以确保该扇区的内容为0xFFFFFFFF。

您好、QJ、

很高兴收到编写我现在提到的准则的提交人的答复。

是的、我执行了如下擦除操作。  实际上、所有闪存操作代码都来自 TMS570LC4357的 CAN 引导加载程序。 诀窍是：我可以看到闪存编程首次成功、但在以下序列中失败。

请就两个问题提供帮助？

1.是否应将 TMS570LC4357更改为监控器模式？ 如果是、如何操作？

2.我是否必须将闪存代码复制到 RAM 而不是闪存中？ 如果是、我应该如何更改链接文件？ 我尝试过、但遇到了这样的错误

#10099-D 程序不能放入可用存储器中、或者该段包含需要无法为此段生成的 trampoline 的调用站点。 "flashAPI"大小为0xd74的运行定位失败

.................................................................................................

擦除和编程操作

--------------------------------------------------

空 Flash_Write_Test (空)
｛
   静态 uint8 seqFlashWrite = 1；
   uint32 dbIdx=0；
   uint32 dbCnt = FLASH_TEST_SECURE_SIZE / FLASH_WRITE_BLOCK_SIZE；
   uint32 retCode = Fapi_BlockErase (flash_test_sect_sector_base_address、flash_test_sect_sect_size)；
   uint8 校验和[校验和_冗余_大小]=｛0｝；
   uint8 u8PotStringBuf[128]；

   uint8数据块[flash_write_block_size]；
   UINT8种子=(seqFlashWrite)% FLASH_WRITE_BLOCK_SIZE；
   uint8 i = 0；

   //如果发生访问冲突，则返回错误。
   if (retCode)
   ｛
       sprintf (u8PotStringBuf、"[失败]-[seq#%d]-闪存写入测试：16KB 擦除\r\n、seqFlashWrite)；
       sciDisplayText (UART_Msg、u8PotStringBuf)；
#ifdef debug_on
       sciDisplayText (UART_Debug、u8PotStringBuf)；
#endif
       seqFlashWrite++；
       返回；
   ｝
   其他
   ｛
       sprintf (u8PotStringBuf、"[通过]-[SEQ#%d]-闪存写入测试：16KB 擦除\r\n、seqFlashWrite)；
       sciDisplayText (UART_Msg、u8PotStringBuf)；
#ifdef debug_on
       sciDisplayText (UART_Debug、u8PotStringBuf)；
#endif
   ｝

   retCode = 0；

   //生成用于闪存写入的数据
   对于(I = 0；I < FLASH_WRITE_BLOCK_SIZE；I++)
       dataBlock[i]= seed++；
   for (i = 0；i < CHECKSUM_RELEASE_SIZE；i++)
       校验和[i]= checksum8_2_apy (dataBlock、flash_write_block_size)；

   for (dbIdx = 0；dbIdx < dbCnt；dbIdx++)
   ｛
       //将 SEED 设置为数据块索引+执行序列号
       uint32地址= FLASH_TEST_SECURE_BASE_ADDRESS + dbIdx * FLASH_WRITE_BLOCK_SIZE；
       //使用数据块对闪存进行编程
       retCode = Fapi_BlockProgram (address、(uint32_t)&dataBlock[0]、flash_write_block_size)；

       if (retCode)
       ｛
           中断；
       ｝
   ｝


   if (retCode)
   ｛
       sprintf (u8PotStringBuf、"[失败]-[SEQ#%d]-闪存写入测试：16KB 程序\r\n、seqFlashWrite)；
       sciDisplayText (UART_Msg、u8PotStringBuf)；
#ifdef debug_on
       sciDisplayText (UART_Debug、u8PotStringBuf)；
#endif
   ｝
   其他
   ｛
       uint8 i = 0；
       sprintf (u8PotStringBuf、"[通过]-[SEQ#%d]-Flash 写入测试：16KB 程序。 校验和为：["、seqFlashWrite)；
       sciDisplayText (UART_Msg、u8PotStringBuf)；
#ifdef debug_on
       sciDisplayText (UART_Debug、u8PotStringBuf)；
#endif
       //将校验和存储到冗余数据数组中
       for (i=0；<CHECKSUM_REDUNDANT_SIZE; i++)
       ｛
           FLASH_Checksum [i]=校验和[i]；

           sprintf (u8PotStringBuf、"0x%0x"、校验和[i])；
           sciDisplayText (UART_Msg、u8PotStringBuf)；
#ifdef debug_on
           sciDisplayText (UART_Debug、u8PotStringBuf)；
#endif
       ｝

       sciDisplayText (UART_Msg、"]\r\n")；
#ifdef debug_on
       sciDisplayText (UART_Debug、"]\r\n")；
#endif

   ｝
   seqFlashWrite++；
｝

另一个注释：在第二个和写入操作之后、我可以看到擦除失败、因为 XDS110调试视图的闪存读取没有更改为0xFFFFFFF

您好、QJ、

我已经解决了链接命令文件问题。 现在、我可以将闪存操作代码复制到 RAM 中、可通过 CCS 调试窗口的"Memory"视图进行验证(参见下图)。 但是、我遇到了另一个问题。 当代码运行到 Fapi_BlockErase 时、它会崩溃并按如下方式输入代码。 那么、有人对此问题提出建议吗？ 非常感谢您的参与。

PrefetchEntry
       B  prefetchEntry

1.是否应将 TMS570LC4357更改为监控器模式？ 如果是、如何操作？

2.我是否必须将闪存代码复制到 RAM 而不是闪存中？ 如果是、我应该如何更改链接文件？ 我尝试过、但遇到了这样的错误

1.是的、F021闪存 API 应在监控器模式下执行。 默认情况下、器件处于监控器模式(而不是用户模式)。

2.真的没有。 TMS570LC43x 具有两个闪存组。 您可以从组0运行代码、并将数据编程到闪存组1。 如果您的代码位于组0中、并且也希望将数据编程到组0中的位置、则需要将与闪存 API 相关的代码复制到 SRAM、并从 SRAM 运行代码。

Fapi_BlockEase ()和 Fapi_BlockProgram ()是否复制到 SRAM？

是的、已复制到 SRAM。 我猜这是由链接器提供的 trampoline 函数引起的、该函数将 far 调用视为 near 调用。 所有擦除、编程、读取函数在映射文件中被视为 trampoline 函数、如下所示。 在将代码从闪存复制到 RAM 的调试过程中、您是否遇到此问题？ 非常感谢您的参与。

far 调用 trampoline

被调用方名称              trampoline 名称
  被叫方 addr tramp addr  调用 addr 调用信息
--------  ------  ------  --------
Fapi_BlockRead           $Tramp$AA$L$PI$Fapi_BlockRead
  0800209c    0000a5ec    00002590  memory_test.obj (.text)
Fapi_BlockProgram        $Tramp$AA$L$PI$Fapi_BlockProgram
  08001f80    0000a5f4    00002378  memory_test.obj (.text)
Fapi_BlockErase          $Tramp$AA$L$PI$Fapi_BlockErase
  08001da8    0000a5fc    0000220c  memory_test.obj (.text)

[3个蹦床]
[3个 trampoline 调用]

尊敬的 Bob：

trampoline 函数不会生成预取中止。  

 可以通过读取指令故障状态寄存器(IFSR)、指令故障地址寄存器(IFAR)来分析预取中止。 IFAR 包含 CPU 试图从中提取指令的地址。 IFAR 的内容对于预取中止始终有效、因为所有预取中止都是同步的。

您好、QJ、

感谢您的回复。 在更多调试后、我发现编程故障可能是由擦除故障引起的。 我发现了以下现象：

当系统上电复位时、我选择的扇区(组1中的扇区#15)被擦除至全部"0xFF"。 然后是第一个编程成功。 但是、在下一轮编程操作中、"扇区编程"之前的擦除操作不会产生效果-仍然与上次编程的数据相同(在调试模式下、我通过存储器视图检查此结果)。  如前所述、闪存只能从0xFF 更改为所需的值(只能将闪存位单元从1翻转为0)。 我认为这是根本原因。

我检查了所有与闪存编程相关的文档、例如 SNPA241、SPNU501G、SPNA148、SPNU563a、 SPNS195C (数据表)但是、我不知道擦除操作是如何失败的。 我甚至尝试针对 F021 API 的二进制代码进行调试、但未找到任何内容。 请就此问题帮助我吗？ 是否有任何错误使用或设置导致此问题？

下面是供您参考的更多项目设置。

1.在主程序运行期间(每2880秒)，我正在尝试定期对 Bank 1的扇区15进行编程

2.我不将闪存操作代码复制到 RAM 中

3.所有.text 代码都很简单，足以映射到 Bank#0

4、ECC 无特殊处理。 只需使用项目默认设置

非常感谢大家的参与。

此致、

Bob

尊敬的 Bob：

您可以重复擦除闪存扇区、而不会出现任何问题。 我这样做了：

uint32_t 成功[]=｛0xea0004bd、0x00000000、
0x00000000、0x00000000、
0x00000000、0x00000000、
0x00000000、0x00000000、
0x4605b538、0x2d06460c、
0x2d08d005、0x2d0ed003、
0x2005bf18、0x2010d108、
0xfa34f000、0x60044803｝；

状态= Fapi_BlockErase (0x03E0000、0x1000)；
状态= Fapi_BlockProgram (0x03E0000、(无符号整型)&成功、64)；
状态= Fapi_BlockErase (0x03E0000、0x1000)；
状态= Fapi_BlockProgram (0x03E0000、(无符号整型)&成功、64)；

您好、QJ、

感谢您的及时回复。 请您向我分享此示例项目吗？  

此致、

Bob

尊敬的 Bob：

我正在使用相同的闪存代码：bl_flash.c

当 Fapi_BlockErase (uint32_t ulAddr、uint32_t size)调用中的闪存地址(ulAddr)等于最后一个闪存扇区的起始地址(例如、tms570lc43x 为0x3e0000)时、BL_FLASH.c 中存在一个错误。  

更新后的代码为：

e2e.ti.com/.../8765.bl_5F00_flash.c