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[参考译文] Hercules F021FLASHAPI:在 F021之上使用 FEE 库

Guru**** 1084750 points
Other Parts Discussed in Thread: HALCOGEN
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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1034004/hercules-f021flashapi-using-fee-library-on-top-of-f021

器件型号:Hercules F021FLASHAPI
主题中讨论的其他器件:HALCOGEN

HalCogen 提供的 FEE 库或驱动器基于 F021或使用 F021。

我不 能完全理解为什么需要这款收费驱动器。 它在 F021库的基础上提供了什么、F021库是读取、写入仿真 EEPROM 所真正需要的?

虚拟扇区和数据块、它们看起来完全是软件结构。 那么、如果我只执行闪存字写入、我是否可以不使用它?

这也是一个愚蠢的问题、 但是直接读取访问这些闪存位置是否仅通过内存映射地址 (例如、通过从0xF0200000直接加载到寄存器等)?  这是不可能的、因为它位于"Flash Wrapper" /总线2接口上、或者通过 VBUSM 开关、 这与直接进入 Cortex 的主闪存不同?

什么是“闪存包装程序” ?

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    您好!

    许多应用需要在非易失性存储器中存储少量系统相关数据(例如、校准值、器件配置)、以便即使在系统下电上电后也可以使用、修改或重复使用这些数据。 EEPROM 主要用于此目的。 EEPROM 能够多次擦除和写入存储器的各个字节、即使系统断电、编程位置也能长期保留数据。

    TI FEE 驱动器的目的是提供一组软件函数、这些函数旨在将片上闪存存储器的扇区(组7)用作仿真 EEPROM。  

    您可以使用 F021 API 直接向组7写入数据。 如果您知道数据的地址、则可以直接从地址读取它。

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    组7中的闪存类型和技术是否与组0 (主闪存)中的闪存类型和技术相同?  "仿真 EEPROM"是由于软件层、还是闪存在某种程度上更具支持性?

    我可以从何处读取它支持生命周期的写入次数、以及它的数据可延迟性?

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    尊敬的 V01d:

    EEPROM 使用与主闪存相同的技术。  

    [引用 userid="426815" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1034004/hercules-f021flashapi-using-fee-library-on-top-of-f021/3825432 #3825432"]在哪里可以阅读到它支持生命周期的写入次数以及它的数据延迟?

    您可以在数据表中找到它们。

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    好的、如果他们有相同的技术、 那么这些标签- Fapi_FLEP  Fapi_fleE Fapi_fpesfapi_FlHV 之间有何区别 ?   

    在一些设备上、如您所知、0714返回 FLEP 作为 EEPROM 闪存、在某些器件上为-1227返回 FLEP。   这些是否仅用于区分闪存编程宽度?   您能否为我将每一个映射到一起、我只能看到3种可能性(采用 ECC)、 288、144、72。

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    坦率地说、我不知道 FLEP、FLEV 之间还有其他差异。