尊敬的团队：
在我们的 MSP432E401Y 定制设计 中、SDRAM 与 EPI 总线接口相连。 但与 SDK 的给定 SDRAM 示例代码相比、引脚发生了单次变化。
变化如下：
EPIOS0的以下 GPIO 示例代码
ROM_GPIOPinConfigure (GPIO_PH0_EPI0S0)；
我们的定制设计包含 用于 EPIOS0的 GPIO
我所做的更改如下：
ROM_GPIOPinConfigure (GPIO_PK0_EPI0S0)；
MAP_GPIOPinTypeEPI (GPIO_PORTK_base、(GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_0))；
3.需要进行哪些更改才能使 SDRAM 正常工作。
此致、
Naga Narasimha Rao
您好！
[引用 userid="526381" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1189331/msp432e411y-bgaevm-epi-bus-gpio-pin-change-for-sdram/4485169 #4485169]1. 目前我没有使用 DMA、我尝试在启动 几个 RAM 位置时执行 SDRAM 写入和读取操作。 这在两个示例代码中都很常见。我想您看到的是 SDRAM 初始化。
16.4.2 SDRAM 模式
激活 SDRAM 模式时、必须考虑以下几点：
•μs 情况下、从激活模式到允许首次操作、所需时间超过100 μ s。
一旦选择了模式和、SDRAM 控制器就会开始 SDRAM 初始化序列
通过 EPICFG 寄存器使能。 在之前正确配置 GPIO 非常重要
SDRAM 模式启用、因为 EPI 控制器依赖 GPIO 模块驱动管脚的能力
一个示例。 作为初始化序列的一部分、加载模式寄存器命令为
自动发送到 SDRAM、值为0x27、设置 CAS 延迟2和完整页
突发长度。
2.我们发现 SDRAM CLK 和 CS 信号即使在不执行 SDRAM 写操作时也是如此？
[/报价]我认为自由运行时钟应该可以。 如果您看上面的时序图、在将 EPI 初始化为 SDRAM 模式后、时钟就会出现。 CS 应由 MCU 控制、但在初始化完成之前、因为 CS 处于高阻抗状态。 根据数据表、建议在 CS 上使用外部上拉或下拉电阻、以便在 SDRAM 初始化完成之前、当 CS 悬空时 SDRAM 器件不会出现误解。
以下各小节介绍了每个运行模式的初始化和配置。
正确初始化所有内容以确保正确操作。 GPIO 状态的控制也很重要、如所示
更改可能会导致外部器件将引脚状态解释为操作或命令(请参阅)。 通常是 A
电路板上需要上拉或下拉、以至少控制作为 GPIO 的芯片选择或芯片使能
从高阻抗复位中退出。
您好！
[引用 userid="526381" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1189331/msp432e411y-bgaevm-epi-bus-gpio-pin-change-for-sdram/4486846 #4486846"]连接到 PN2的 CS 引脚处于 GPIO 输入模式
ANS：我们不使用 PN2作为 CS、以下是 PIN 在我们的定制板中连接到 SDRAM。
>我们的定制板中只有一个引脚更改。
IE：与(示例 SDRMA 代码 MSP432E40IY SDK)相比、第一个引脚 GPIO_PH0_EPI0S0。
[/报价]PN2和 PP2引脚均可用于处于 SDRAM 模式的 CS EPI029的多路复用。 相同的注释将应用于 PP2 -默认情况下、它是复位后的 GPIO 输入引脚。 您需要在 PP2上使用拉电阻器。
这是可以的、因为 EPI0S0可以同时出现在 PH0或 PK0上。 您还说您看到的信号来自 PK0。 这意味着它在 PK0上工作。
您可以试用 LaunchPad 吗？
您好、Naga、
[引用 userid="526381" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1189331/msp432e411y-bgaevm-epi-bus-gpio-pin-change-for-sdram/4496733 #4496733"]1.按照您的建议为 CS 引脚添加上拉电阻后、我们没有发现 SDRAM 写入和读取操作有任何变化。
2.静止 CS 引脚在理想状态下切换？
[/报价]即使 CS 处于活动状态、也可以仅使用 NOP 命令。 因此、请检查命令是否为 NOP。
[引用 userid="526381" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1189331/msp432e411y-bgaevm-epi-bus-gpio-pin-change-for-sdram/4496733 #4496733"]3. EPI 到 SDRAM 的指令是否处于理想状态？
[/报价]CS 可能处于活动状态、但该命令可能只是 NOP。 在这种情况下、它是"无"操作。 请参阅下面的 ISSI 数据表。
示例代码是为60MHz SDRAM 操作而设计的。 如果您遵循该示例、则参数应正确。
[引用 userid="526381" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1189331/msp432e411y-bgaevm-epi-bus-gpio-pin-change-for-sdram/4496733 #4496733"]6. 是否有任何工具可用于针对 TI 的特定 SDRAM 接口微调 EPI SDRAM 配置时序脉冲。[/QUERP]没有我知道的这样的工具。 请使用该示例进行参考。
[引用 userid="526381" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1189331/msp432e411y-bgaevm-epi-bus-gpio-pin-change-for-sdram/4496733 #4496733"]7. 除 SDRAM 基本示例代码外，是否还需要进行其它配置？该示例是最佳参考。 我还将向您介绍 TM4C129的另一个示例。 如前所述、TM4C129和 MSP432E4是相同的器件。 EPI 是相同的。 您可以在 前面的帖子中找到我附加的 TM4C129 SDRAM 示例。
我还发现 TI 采用 SDRAM 的 TM4C129参考设计可能会有所帮助。 请参阅以下链接。
您好！
当您不对 SDRAM 进行读写操作时、自动刷新功能会自动启动。 这是为了确保正确地为 SDRAM 的内容充电和维护。 7.6us 看起来是合理的。 请查看您的逻辑分析仪捕获和解码、以查看命令是否为自动刷新。 与下面的"自刷新"表进行比较。
在数据表中、它显示了50MHz SDRAM 操作的每次刷新时间为15us。 由于您以60MHz 运行、因此较低的刷新周期(7.6uS)是合理的。
