[参考译文] MSPM0L1306-Q1：从 NVM (闪存)读取会给我带来硬故障

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1328840/mspm0l1306-q1-reading-from-nvm-flash-gives-me-a-hard-fault

器件型号：MSPM0L1306-Q1
主题中讨论的其他器件：MSPM0L1306

这是我的链接器 cmd 文件看起来的样子

-uinterruptVectors
--stack_size=256

MEMORY
{
   FLASH           (RX)  : origin = 0x00000000, length = 0x0000F4F7
   SEN_CFG         (RW)  : origin = 0x0000F4F8, length = 0x00000A80 
   SRAM            (RWX) : origin = 0x20000000, length = 0x00001000
   BCR_CONFIG      (R)   : origin = 0x41C00000, length = 0x00000080
   BSL_CONFIG      (R)   : origin = 0x41C00100, length = 0x00000080
}

SECTIONS
{
    .intvecs:   > 0x00000000
    .text   : palign(8) {} > FLASH
    .const  : palign(8) {} > FLASH
    .cinit  : palign(8) {} > FLASH
    .pinit  : palign(8) {} > FLASH
    .rodata : palign(8) {} > FLASH
    .ARM.exidx    : palign(8) {} > FLASH
    .init_array   : palign(8) {} > FLASH
    .binit        : palign(8) {} > FLASH
    .TI.ramfunc   : load = FLASH, palign(8), run=SRAM, table(BINIT)

    .vtable :   > SRAM
    .args   :   > SRAM
    .data   :   > SRAM
    .bss    :   > SRAM
    .sysmem :   > SRAM
    .stack  :   > SRAM (HIGH)

    .SENCFG     : {} > SEN_CFG
    .BCRConfig  : {} > BCR_CONFIG
    .BSLConfig  : {} > BSL_CONFIG
}

可以看出、我定义了一个新段来存储(并加载)从 0x0000F4F8开始的0xA80字节配置数据。 我也减少了称为"flash"的部分的大小。 我的新部分偏离了手册中提到的最后8个字节。 我能够对这个区域的其中一个位置进行写入。 但是、这里偶尔也会失败。 它工作了几次,现在我得到一个硬故障,而写入相同的位置。 以前,我能够写入它,但我在读取它时遇到了这个问题。

我想知道除了此 aka 定义一个单独的存储器段、然后直接使用该段中的地址作为代码的一部分、我是否需要执行任何其他操作？

为了识别例外情况、我修改了所有的异常和中断、以便按照  此处的 Brandon Fisher94的建议使其中断。 现在、它显示我遇到了"硬故障"。 我不知道为什么。 这里的任何内容是否暗示我可能正在访问非法内存？ 在像我这样的情况下、什么可能导致硬故障？