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部件号：TAS5411-Q1 您好，Champs：
客户测量了THD+N，在PVDD上的头部空间更少的情况下进行监控，THD+N变得更糟。
测量条件低于。
-输入信号差动幅度：300mV (典型值)，700mV (最大值)
-增益= 20dB (10V/V)
-负载=8欧姆，已实施建议的LC滤波器。
－PVDD：8V，14V
PVDD=8V结果比PVDD=14V要差得多。
您能否提供以下机制，为什么从TAS5411的体系结构角度来看，PVDD上的较低余量会导致THD+N更差？
此致，
