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[参考译文] TAS6584-Q1：负载 DIAG 状态期间的通信和时序

admin
Guru**** 2466550 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1261419/tas6584-q1-communication-and-timing-during-load-diag-state

器件型号：TAS6584-Q1

尊敬的 e2e 支持：

在图8-1中、有该时序图：

在 LOAD DIAG 状态期间、不对 i2c 进行通信。 这引起了一些问题：

  • TAS 是否会在该状态下忽略所有通信？
  • 如果我询问 TAS 在负载 DIAG 期间的状态变化、它是被锁存还是会在末尾应用、还是被忽略了？
  • 假设每个通道都连接了一个扬声器、那么负载 DIAG 状态可以持续多长时间？

此致、

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    您好！  

    请查看我的以下评论。

    • TAS 是否会在该状态下忽略所有通信？

         否、器件不能忽略直流诊断期间的任何通信。

    • 如果我询问 TAS 在负载 DIAG 期间的状态变化、它是被锁存还是会在末尾应用、还是被忽略了？

          您可以通过寄存器0xB0中止直流诊断。

    • 假设每个通道都连接了一个扬声器、那么负载 DIAG 状态可以持续多长时间？

         如果负载没有错误、则4通道通常需要155ms 的时间才能完成直流诊断。

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    您好、Yanming：

    感谢您的答复、我还有两个关于此主题的问题

    1) 1)我尝试了各种负载配置、以了解进行负载诊断所需的时间：

    -所有通道连接后,时间约为150毫秒,正如你所说的

    -通道1断开连接时, 无论其他通道是否断开连接,大约需要300毫秒

    -在通道2、3和4之间断开一个或多个通道的情况下,大约需要250毫秒

    通道之间的这种不对称是否正常？  

    2) 2)在启动时、我要做的第一件事是上升 PD 引脚并使用 I2C 对 TAS 寄存器进行编程。  在进行一些分析时、我注意到：

    https://i.postimg.cc/7LgMJrFH/Microsoft-Teams-image.png

    在前5次微控制器尝试写入 TAS 寄存器时、 尽管 PD 已完全启动、但会失败、然后在这些尝试后、连接会正常工作。 这是有原因的吗？ 是否应该在 PD 启动后等待一段时间、然后再对 TAS 进行编程？

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    尊敬的 Marco：

    1)一旦负载出现错误、直流诊断将再次重复、以再次确认错误、因此会花费更多的时间。 测试看起来是有道理的。

    2)对不起,我无法打开您的图片。 您可以将图片直接插入到 E2E 中。

    此致、

    德里克

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    e2e.ti.com/.../MicrosoftTeams_2D00_image.zip

    Derek 你好，试试这家吧

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    尊敬的 Marco：

    我想器件是在 PD 拉至高电平后运行直流诊断。 器件初始化时的自动直流负载诊断无法旁路、但如果需要、可以通过将 DC LDG Ctrl 1寄存器(地址= 0xB0)中的位0和位7设置为‘1"来中止。

    您可以尝试将 DC LDG Ctrl 1寄存器(地址= 0xB0)中的位7设置为‘1" 、然后再次发送 I2C 注释。

    此致、

    德里克

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    STBY 引脚向下、因此 TAS 应在 PD 上升后处于深度睡眠状态、而不会像我在该帖子开始时的图像中看到的那样处于负载 DIAG 状态。

    总之、为了更具体、我在设计中使用了4 TAS、我以相同的方式对其进行编程、但第一个 TAS 不会出现此问题、而仅其他三个 TAS 才会出现此问题。

    此致、

    马可

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    尊敬的 Marco：

    您能否先与我们分享您的原理图和脚本代码？

    我来检查一下是否有任何错误或错误。

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    遗憾的是、我不能分享原理图和代码。

    我们继续调查该问题、并注意到原理图中 TAS 之间的唯一区别是用于 I2C 地址的电阻。

    似乎 TAS 的电阻与0欧姆不同(上拉或下拉)在 PD 升高后需要至少180us 才能开始与 I2C 通信。 而具有0欧姆电阻的 TAS 在小于40us 后即可就绪。

    这对您是否有任何意义？ I2C 地址电阻值是否可能会影响 TAS 准备好通信之前的时间？

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    我有一个类似的问题。

    请参阅 此

    此致

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    尊敬的 Cialdi：

    谢谢！

    让我再次确认一下。

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    尊敬的 Cialdi：

    影子的评论是有意义的。 当 PD 拉至高电平时、数字复位仍需要一些时间、然后内部检测和比较器 将锁存 I2C 地址。

    经设计团队确认、PD 为高电平并且 I2C 通信正常后、200us 是安全时间。  

    此致、

    德里克

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    Unknown 说：

    影子的评论是有意义的。 当 PD 拉至高电平时、数字复位仍需要一些时间、然后内部检测和比较器 将锁存 I2C 地址。

    经设计团队确认、PD 为高电平并且 I2C 通信正常后、200us 是安全时间。  

    [/报价]

    影子表示"他们"建议等待10毫秒。

    查看 此处：

    Shadow 说：

    说到上电序列、我们建议在上拉 PDN 引脚后等待10ms、然后开始其他操作。 不仅是您提到的地址检测、还有其他 LDO 需要一定的时间才能完全准备好。

    我不知道"他们"指的是谁。

    您说您和设计团队说过、他们确认200us 足够了。 shadow 说10ms 更好。 他是否和您谈到的同一个设计团队进行过交谈？

    200ms 足够了吗？或者您是否需要10ms？

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    尊敬的 Cialdi：

    我认为 Shadow 意味着电源序列要求。 PD 为高电平后、延迟至少4ms 以将 STBY 拉至高电平。

    200us 是 I2C 响应的最短时间。  

    当 STBY 为低电平时、模拟逻辑被复位、并且配置 I2C 地址不能触发模拟逻辑工作。 因此、影子建议 在 PD 为高电平时等待4ms 来配置 I2C 更佳。

    此致、

    德里克

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    您好

    我们在大约5ms (i2c @400kHz)下测量寄存器写入、电路板上有4 TAS。
    总共约20ms。 将每个 TAS 相加4ms、我们得到36ms。
    在任何情况下、我们在寄存器编程后(以及额外的等待后)提高 STBY。 因此可以保证在 PDN 提升和 STBY 提升之间存在超过4ms。
    所以问题是：在200us 之后从提高 PDN 到在4ms 之前对寄存器进行编程是否可靠且安全？ 有哪些缺点？

    换句话说、我们希望尽可能缩短 PDN 提出和 STBY 提出之间的时间(显然不小于4ms)、因此、我们将尽快开始写入寄存器(如您所知、PDN 提出后200us)。 这有多安全可靠？

    此致

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    尊敬的 Cialdi：

    明白了！ 谢谢！

    200us 是设计团队器件侧的仿真数据。 它不考虑与通过电阻器 PULL_UP/DOWN 相关的 IO 延迟、尽管该延迟非常低。

    我认为200us 理论上是安全的。 最好在电路板上进行评估并检查多个电路板、以获得几乎相同的时间延迟。

    此致、

    德里克

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    好的、谢谢您、

    由于我们有一个节拍为1ms 的 RTOS、为了保证200us 在1到2ms 之间、最少等待时间、所以我们可以安心使用。

    此致

    最大值

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    尊敬的 Cialdi：

    没关系。

    如果您没有其他问题、我将关闭 E2E。

    如需任何帮助、请与我联系。

    此致、

    德里克

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