[参考译文] TAS6424-Q1：原理图审阅

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Guru**** 2438720 points

Other Parts Discussed in Thread: TAS6424-Q1, TAS6421-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TAS6424-Q1
主题中讨论的其他器件： TAS6421-Q1、TAS6424

工具与软件：

大家好、团队成员：

我是 FAE Jayden、ZTE 在汽车工程中使用 TAS6424-Q1和 TAS6421-Q1。您能帮助支持原理图审阅吗？非常感谢。

原理图的第一页是两个模块之间的互连、第二页和第三页是两个模块的内部电路。
TAS6424和 TAS6421级联、应用框图如下所示。

BRS

Jayden

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Jayden：

原理图看起来正常。唯一不正确的地方是 VBAT 必须大于9VDC。我在您的原理图中看到它为5V。请将 VBAT 连接到 PVDD 电源。

此致、
Gregg Scott

0 admin 1 年多前

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我们外部电池的电压范围为6V 至26V 但是 TAS6424的 VBAT 为4.5V 至18V。您能否详细解释" VBAT 必须大于9VDC"？

谢谢

0 admin 1 年多前

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0 admin 1 年多前

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您好、Rubin

这主要是因为 GVDD 设计为7V、并通过 VBAT 的内部 LDO 来实现。如果使用较低的 VBAT、GVDD 电压也会降低。 MOSFET 驱动器还必须使用较小的电压。开关损耗将增加、效率会降低。不建议在这种情况下长时间工作。

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Gregg：

如果 VBAT 的电源电压大于18V 但小于26V、该怎么办？是否无法工作、但不会损坏？

谢谢

0 admin 1 年多前

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您好、Rubin

不会损坏、 VBAT 的绝对最大额定值为30V。

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