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[参考译文] TMS320F2.8379万S:意外电源故障闪存过程

Guru**** 1774980 points
Other Parts Discussed in Thread: LM2734
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1088006/tms320f28379s-unexpected-power-failure-flash-procedure

部件号:TMS320F2.8379万S

在  发生意外电源故障时,要求输入任何有关任何既定程序的输入,其中一些电源电容将在MCU断电前提供运行时间。 专门用于执行写入闪存。 此外,每个闪存字写入的预期周期数是多少? 有无ECC会有什么差异?

高水平被认为是

1.功耗的GPIO检测会触发不可屏蔽中断

2.将预指定的易失性存储器写入预擦除 的NV存储器。

我知道这有点一般,所以任何有用的资源都值得赞赏。

此致,

Tyler

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    您好,Tyler,

    通常在发生意外电源故障时,只要在VDDIO和VDD达到Vmin电压之前中止/暂停/完成闪存操作,则闪存将不会损坏并成功完成,低于Vmin电压,则不保证闪存操作。

    ECC位编程没有变化,大多数写入应在1到2个脉冲计数内发生。

    您是否尝试在电源故障时将RAM内容复制到闪存中,并设计一个电源盖,以便在复制内容之前保持电压水平?

    不建议使用此功能,因为电源盖可能无法支持闪存编程操作期间所需的瞬态电流。 闪存编程时间在数据表中指定,您可以使用它作为参考。

    此致,

    Nirav

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    您好Nirav,

    您是否尝试在电源故障时将RAM内容复制到闪存中,并设计一个电源盖,以便在复制内容之前保持电压水平?

    是的,这就是想法。  

    不建议使用此功能,因为电源盖可能无法支持闪存编程操作期间所需的瞬态电流。 闪存编程时间在数据表中指定,您可以使用它作为参考。

    好的,是否有停止进一步转移的最佳做法?  

    通过您的上述输入,我们设想使用 IC触发GPIO。 但此电路有15毫秒的延迟。 因此,我们提供了上限以通过此延迟,然后将从GPIO触发中断以停止任何进一步的内存传输/执行。 这似乎合理吗?

    此致,

    Tyler

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    您好,Tyler,

    F2.8379万S如何知道存在电源故障,并且需要在GPIO中断到来之前的15毫秒外部PMIC延迟期间开始将内容复制到闪存中?

    此致,

    Nirav

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    这就是挑战。 我们 最初想使用所谓的主管IC。 但重新思考一下,我们意识到这更像是与电池电路串联。  

    可以这样想:

    顶部 工程图是原始概念。 底部是修改后的概念。 我们仍将使用Supervisor,但这是用于通电排序,不一定与此问题相关。 注意:ADC的输入将被安全夹紧。

    感谢您提供意见。

    此致,

    Tyler Peterson

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    我们意识到了我们被过度关注的东西。 我认为我们已经解决了问题。  但是,对于C2.8379万 FW中的实际实施,我们非常感谢您的任何投入

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    我在从模拟中显示的图中将信号误标为GPIO。  
      

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    您好,Tyler,

    感谢您提供详细信息,但我仍有一些问题:

    1.什么是V(en)信号是LDO的输出信号,您可以在图纸中添加吗?

    2. Supervisor IC的跳闸点是什么?

    3.在您的模拟中,当GPIO跳闸时,V3.3Vfilt/电源进入F2.8379万S的电压是多少? 根据您的模拟,它似乎仍为3.3V,是否正确?

    4.您是否可以在电流负载等于设备最大电流(即VDD上400mA和VDDIO上30mA)的情况下模拟仿真?

    此致,

    Nirav

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    1.什么是V(en)信号是LDO的输出信号,您可以在图纸中添加吗?
     VEN是发送给电源的信号,用于启动顺序

    2. Supervisor IC的跳闸点是什么?
    12 V阈值。  

    3.在您的模拟中,当GPIO跳闸时,V3.3Vfilt/电源进入F2.8379万S的电压是多少?

    3.3V

    根据您的模拟,它似乎仍为3.3V,是否正确?

    是的

    4.您是否可以在电流负载等于设备最大电流(即VDD上400mA和VDDIO上30mA)的情况下模拟仿真?

    来自同事:

    我在VDD和VDDA上分别有400mA和30mA。 此外,我还拥有15V上的剩余估计负载(2.5W),以使其更快下降。 您可以看到15V开始下降,当它超过12V时,我们的GPIO应该会降低。 它仍在下降,但LM2734s仍应启用并支持VDD和VDDA,直至输入电压达到~5V。 LM2734被禁用,VDD和VDDA迅速下降
    模拟与我在GPIO变低和VDD与VDDA下降之间的~1.8ms计算相匹配
    如果需要,我还可以将使能引脚与ADC输入绑定在一起,以便我们可以测量

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    您好,Tyler,

    这是好数据,因为您可以看到您只有~2毫秒的时间将数据从RAM复制到闪存,如果您浏览数据表,您将看到闪存编程操作可能需要更长的时间, 它还取决于您要复制到闪存中的数据量。

    您希望在"褐色"活动中将多少字复制到Flash中?

    此致,

    Nirav