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[参考译文] TMS320F28.027万:800VA正弦波反相器参考设计。

Guru**** 649970 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/629876/tms320f280270-800va-pure-sine-wave-inverter-reference-design

部件号:TMS320F28.027万

大家好,

我目前已使用以下参数对该设计进行了试验。

参数

  • 三角形载波115kHz
  • 非调制信号60Hz
  • H形电桥电压30V直流

我已经成功地在H桥电路的输出上创建了三级PWM,并恢复了60Hz正弦波Buy LC (150uH,1uF),过滤了两条输出线路。 我遇到的问题是输出正弦波仅为10.5V交流。 我认为发生这种情况是因为我使用三级PWM,而我得到的电压只是H桥电压的一半。 如果我将PWM切换为 双电平,我的输出正弦波将增加到21V交流。

此致,

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    路易

    很高兴您能获得正确的输出形状。 您应该检查晶体管是否完全打开,您可能没有足够的驱动强度到达栅极。

    就像另一个健全的检查一样,注意你是否有任何射门?


    此致,
    科迪  

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    您好,Cody:

    这看起来就像一个AM在AP和AM线上进行了一些拍摄。 同样的射门也发生在BP和BM线上。

    我正在使用两个半桥驱动器为全H桥电路供电,似乎我已经为高侧MOSFET提供了速度驱动器。

    我对三级PWM做了一些研究,它看起来过滤器输出是(H-桥电压/2 )。  这是否正确?

    我的应用程序需要H桥输出不是H桥电源的一半。 我是否仍应使用三级PWM或移至双级PWM?


    我包括AP和AM浇口线的示波器。

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    大家好,

    我正在努力使用 电阻器和二极管来解决我的直射问题。

    有人能帮我回答上述问题吗?

    谢谢

    路易

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    路易

    我不是很熟悉PWM的应用,我转递了我的一位同事的职位,希望他能提供帮助。

    此致,
    科迪  

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    您好,Louis:

    您可以使用PWM模块的死区子模块在高侧和低侧开关之间提供死区时间。 您可能仍需要使用外部电阻二极管网络来降低FET打开相对于关闭时间的速度。

    Hrishi