Other Parts Discussed in Thread: ADS1298
我正在研究降低 ADS1298实施方案噪声的方法。
电路板根据数据表配置了去耦电容器、但当我将器件置于高分辨率模式 DR 位010 (8000SPS)时、我将获得50至100µV μ V 的 RMS 噪声。
数据表中的表1。 表示12.4µV μ A 的电平应该是可能的。 对我可以改进的领域有什么想法?
在我的配置中、我使用双极电源(±2.5V)。 我看到对基准电压进行去耦的 VCAP1应该连接到 VSS。 如果是这种情况、那么是否不会丢失器件的 PSRR、因为噪声将从电源轨直接耦合到基准电压上? 我不能更好地连接到 GND?
我应该使用的电容器的 ESR 是否有建议?