尊敬的 Syed：

您需要对电路进行的唯一更改是向 VDDB 施加 GND、向 VSSB 施加-5V。 这会将 DAC 和 FETDRV 输出设置为负电压。 所有其他电路应该相同。  

谢谢。
错误

谢谢 Erin。 这意味着我无法使用一个  LMP92066 器件来控制一个端口上的 GaN PA (-ve 偏置)和第二个端口上的 LDMOS PA (+ve 偏置)。

我必须使用两个单独的  LMP92066 器件，一个用于 GaN PA，另一个用于 LDMOS PA。 我的理解是正确的。

此致、

对称

您好、Erin、

还有一个需要澄清的问题是、如果我将  LMP92066用于 GaN 负偏置电路、那么 VDD 和 VDDB 都必须正确接地？  您之前仅提到过将 VDDB 接地、因此希望确认 VDD+VDDB 是否都应接地。

谢谢。

对称

您好、Erin。

我们决定 在设计中使用 LMP92066偏置控制器电路。 由于我们正在使用 GaN PA、因此在将直流电源应用到 PA 的漏极之前、需要首先提供负栅极偏置电压、以便不会损坏 PA。 偏置控制器电路后是否需要任何其他电路、以便 GaN PA 不会损坏？
当我们为偏置控制器 TI IC 上电时、芯片的偏置电压输出是否接近-5V (等于 VSSB 以及它在-5V 保持多长时间以便 PA 在初始上电期间关闭。

谢谢！

对称

尊敬的 Syed：

启动时、DAC 被拉至 VSSB 线路-5V。 因此 PA 将关闭。  当 ALU 和 LUT 启动时、它们会强制 DAC 为已编程的代码。 默认情况下、此编码为0、因此 DAC 应保持在-5V 左右、直到写入新电压。

谢谢。
错误

您好、Erin、

谢谢。

1) 1)我问的原因是、GaN PA 电源电压将在我们为器件加电后立即连接。 因此、在连接至 PA 的电源之前、DAC 必须是-5V、以便不会烧毁 PA。 如果在连接电源电压之前在向 PA 施加-5V DAC 时存在延迟、则可能会损坏 PA。 对它有什么想法。

2)但 AMC7904具有一定的内部控制可对此进行定序、但 您认为 LMP92066没有该控制。 我在 我们的设计中使用了4个 LMP92066、想知道您的客户是否有使用 LMP92066控制 GaN 电源时序。

3) 3)我们可以根据需要长时间保持在代码0、以便 DAC 保持在-5V。

提前感谢、

对称

尊敬的 Syed：

1) 1)这是一个有效问题。 首先、我要确认 IC 输出的设置。
您应该将 GaN 栅极连接到 FETDRVx 引脚。 DACx 输出应该只连接一个电容器。  如您在方框图中所见、FETDRVx 引脚有两个开关。 一个连接到 VSSB、另一个连接到 DACx。 启动时、将 FETDRVx 连接到 VSSB 的开关是闭合的、这意味着该引脚将输出-5V。 无论 ALU 是以何种方式编程、DACx 输出都将启动(使用出厂复位器件、这将是代码0或-5V。) 当控制引脚 DRVENx 被主机控制器驱动为高电平时、FETDRVx 切换到 DACx 输出。 向 DRVENx 引脚施加低电压会将 FETDRVx 切换回 VSSB。  

因此、在启动时、FETDRVx 引脚将保持钳位到 VSSB -5V、直到您使用 DRVENx 引脚将其切换到 DACx 电压。

好的、回到您的问题：

1) 1)随着 VSSB 上升至-5V、FETDRVx 引脚将斜升至-5V。 如果在施加 GaN PA 漏极功率的同时施加 IC 电源、将会有一小段时间因为斜坡而使 GaN PA 开启。 在这种情况下、我们建议施加的 GaN PA 漏极电源比 IC 的电源晚、或者使用一些外部电路创建控制电路、以防止施加 GaN PA 漏极电压、直到启用它。

2) 2)正确、AFE10004有一个 PA_ON 引脚来控制 PA 漏极电压、但仍需要一些外部 MOSFET 进行控制。

AFE10004页面上的应用报告中给出了该电路的一个示例。 在该电路中、漏极电压(PAVDD)需要 PA_ON 引脚为高电平才能施加到 GaN PA 上。 您可以在设置中执行类似的操作、但需要使用来自主机控制器的信号。 LMP92066没有任何引脚可单独实现此功能。

3) 3) FETDRVx 引脚将被钳位到-5V、直到您向 DRVENx 施加高电压、之后 FETDRVx 引脚将被钳位到 DACx 电压。

如果您有任何其他问题、请告诉我。

谢谢。
错误