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[参考译文] DLP9000X:DLP9000X EVB

Guru**** 649970 points
Other Parts Discussed in Thread: DLP9000X
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/dlp-products-group/dlp/f/dlp-products-forum/1068858/dlp9000x-dlp9000x-evb

部件号:DLP9000X

您好,

我正在设计一个与 DLP9000X 配合使用的电路。 我的原理图基于 TI EVB 原理图(随附)。
在这些原理图上, 有一些电路用于 DLP9000X 的断电过程。  

我的问题是:

1.我正在尝试了解 VOFFSET,VRESET,VBIAS 的每个离散电路的电源在第4页上关闭(我在这些电路中圈出)。

  1.1声控发射
     1.1.1在正常模式下,EN_OFFSET 为“1”,因此 Q3 =在这种情况下,Q2 =关闭,Q1也关闭=> VOFFSET 正常工作
     1.1.2断电时...EN_OFFSET 为“0” ,因此 Q3 =关,这会导致 Q2 =开,从而导致 Q1 =开=> VOFFSET 被 D1齐纳二极管绑定到3.3V? 直到断电?
   1.2 VRESET
     1.2.1在正常模式下,EN_OFFSET 为“1”,VRESET 为电源(每个原理图为10V)....问题4是否关闭?! 还有 Q5,Q6 ...等:正常运行。
     1.1.2断电时...EN_OFFSET 为“0” ,因此 Q4=开(? 不确定我是否理解为什么) 哪些结果会导致 Q6=ON,从而导致 Q5=ON => VRESET 与 GND 关联?
  1.3维也纳国际标准组织。
     1.1.1在正常模式下,EN_OFFSET 为'1',因此 Q9=开,导致 Q8=关,因此 Q7也关闭=> VBIAS 工作正常
     1.1.2断电时...EN_OFFSET 为“0” ,因此 Q9=OFF 导致 Q8=ON,因此 Q7=ON => VBIAS 绑定到 GND?

2.基于上述。 我想知道为什么我需要这样的晶体管? 2N2222仅以 T.H 形式存在。尝试选择其他 SMT 我发现 收集器-基本电压 VCBO 为60 V,发射器-基本电压 VEBO 为6V
  确定 T.H 封装...为什么选择这些数字。我提出的原因是,每一个晶体管的成本大约为5美元...因此,整个断电解决方案估计每块板大约为20到30美元...听起来不合理


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    e2e.ti.com/.../DLPLCR9000_5F00_DMDBOARD_5F00_P9_5F00_WQXGA_5F00_TYPE_5F00_A_5F00_1.pdf

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    Moshe,

    您所参考的电路有助于确保 DMD 电压正确断电。  Voffset,Vreset 和 Vbias (“Vorb”)需要在 Vcc 之前断电。  关机顺序很重要。

    关于此问题/评论:
    在 断电时>1.1.2 ...EN_OFFSET 为“0” ,因此 Q3 =关,导致 Q2 =开,因此 Q1 =开=> VOFFSET 由 D1齐纳二极管绑定到3.3V? 直到断电?

     当 VVorb 关闭时,DMD_VCC 正在工作。  Voffset 通过 D2和 L5直接连接到 DMD_VCC;当 Vorb 电源关闭时,D1齐纳二极管可防止 DMD_VCC 对地短路。

    这方面所需的晶体管全部采用 SOT-23型表面安装封装,每件价格低于0.25美元。  如果您参考了一些较新的参考设计,您将发现类似或较不复杂的断电电路以及更具体的零件号。  该设计使用 MMBT2222A,该 设计随时可用:Tida-00570示意图。   

    如果您想了解更现代的产品, 请参阅  DLP471TEEVM 和 DLP650TEEVM 板设计文件 ,它们使用非常相似的 DMD 电源设计,但具有简化 的断电电路,仅使用5个晶体管,而不是8个晶体管。

    无论您选择哪种实施,都应检查 DMD 的功率顺序,以确保其符合硬件上的数据表要求。

    Regarsd,

    加里

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    谢谢加里