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[参考译文] R_silicon_TO_Ceramic

Other Parts Discussed in Thread: DLP2000, DLP9000
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https://e2e.ti.com/support/dlp-products-group/dlp/f/dlp-products-forum/1129730/r_silicon_to_ceramic

主题中讨论的其他器件:DLP2000DLP9000

您好!

你好。

客户 对 DMD 热计算有疑问?

在 TI 撰写的题为"DLPRegistered产品热设计指南:专注于高功率 NIR 激光照明"的论文中,他对如何计算 R_silicon_TO_Ceramic 有疑问。

他所指的部分是3.1.2。

他 想知道是否有一些计算方法来得出这个数字。 在其应用中、它们将使用强大的激光器对 DMD 进行部分照明、因此他希望能够计算阵列温度。

他的项目侧重于调查 DMD 热性能、因此如果您对 DMD 热损坏的最重要因素有任何其他意见、他将不胜感激。

请提供建议。 非常感谢。

此致、

Ray Vincent

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    尊敬的 Ray Vincent:

    本热指南分为两部分。 第3.1.1节用于全阵列照明、第3.1.2节用于部分照明阵列。 硅到陶瓷的计算基于我们的标称工艺参数、因此第3.1.1节中0.5度 C/W 的起始点是我们用于大多数应用的起点。

    3.1.2中的值为 0.9°C/W、注释"由于照明面积减小、因此比先前的示例高"。 如果用户仅照亮阵列的一部分、则 DMD 热管理不一定经过优化、因此客户必须采取额外的对策才能保持在数据表规格中。

    此致、

    Matt

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    值 R_silicon_TO_Ceramic 由使用散热软件 Flotherm 的3D 有限元模型确定。  ºC 有源阵列完全点亮、则有一个标准值、对于该器件、该值为0.5 μ A/W  ºC 报告中显示的960 x 475像素部分照明阵列的示例为0.9 μ A/W  该值会增加、因为可将热量传递到封装背面的面积减小了。   

     由于 TI 已经有一个热模型、如果客户 可以共享照明曲线、我们可以轻松地重新运行该模型以确定此情形下的 R_silicon_TO_Ceramic 电阻。  了解照明点的尺寸和位置以及该区域的功率是否一致将会有所帮助。   

    我要强调的一点是、这些计算适用于 CW (连续波)激光照明。  如果使用脉冲激光器、则可能会发生反射镜的瞬态发热、如果脉冲具有足够高的功率密度、这种发热会非常显著。   

    此致、

    Scott Overmann

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    Matt、Scott、您好!

    你好。 请参阅以下客户对您所有回复的回复。 非常感谢。

    我可以告诉您、我们打算照亮 DLP2000 DMD 的一部分。 该区域将位于阵列区域的中心、宽度为553个像素、高度为157个像素。 事实证明、这大约是4.18mm x 1.19mm。 我们计划使用连续波、532nm 激光、均匀地照亮该区域。 您是否介意运行您的软件并为我提供合适的 R_silicon_TO_Ceramic 值?

    此致、

    Ray Vincent

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    尊敬的 Ray Vincent:

    Scott 将在今天运行他的模型。 请给我们另外24小时左右的时间提供反馈。

    此致、

    Matt

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    您好 Ray Vincent、

    ºC DLP2000 DMD 的全阵列照明、R_silicon_TO_Ceramic = 8.0 μ V/W  该值可在 DLP2000数据表中找到。  我 ºC 模型的照明面积为4.18 x 1.19mm、电阻仅略微增加至8.7 μ A/W   

    此致、

    Scott

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    大家好、

    你好。 客户的另一个查询。 请参阅下面的内容。 非常感谢。

    我不知道 R_mirror 到硅的值。 它说、该值应包含在 DMD 数据表中、但不在 DLP2000的数据表中。 我还需要了解 DLP9000的 R_silics-to c陶瓷 和 R_mirror-a-silicon、DMD 中心均匀照明的区域为19.3mm x 5.5mm。

    我还有一个关于 DMD 热损坏的问题。 下面的硅 SRAM 相对脆弱。 是否存在因光线高辐照度而损坏 SRAM 的已知问题?

    我们同样关注的是、如果微镜的一半被点亮、那么热梯度的影响也会受到影响。 例如、我们是否会在照明从全向零转换的区域附近对 DMD 进行破解? 是否有缓解此风险的策略、例如将入射激光功率从0缓慢增加到其工作功率?

    此致、

    Ray Vincent

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    Ray Vincent、

    激光照明的功率密度是多少? 我看到有关 DMD "破裂"的问题、但我们没有发现任何正常功率密度的问题。

    除非功率密度为数百瓦/cm2、否则 SRAM 和 POM 不会损坏。

    我已经与 Scott Overmann 分享了最新的问题。 我们明天将能够答复。

    此致、

    Matt

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    您好、Matt、

    你好。 客户 正在考虑高达35W/cm^2的功率密度。 他们只是想确保他们涵盖我们的所有基础。 非常感谢。

    此致、

    Ray Vincent

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    Ray Vincent、

    DLP9000的 ºC 照明面积为19.3mm x 5.5mm、其 R_Silicon -陶瓷= 0.95 μ A/W   

    R_mirror 到 silicon 仅取决于像素节点。  DLP2000和 DLP9000都使用7.56um 像素、因此这两个器件的 R_mirror to silicon 是相同的。  R_mirror 至 silicon = 4.42e5 ºC /W  请注意、该电阻值很大、因为它考虑了通过单个镜片的吸收热负载。  另请注意、后视镜具有高度反射性、因此仅会在后视镜中吸收一部分入射照明。

    关于35W/cm^2的入射功率密度、我们有客户为传统投影应用提供这种可见光、从而为 DMD 提供照明。   

    此致、

    Scott

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    谢谢 Scott。

    Ray Vincent、

    我认为这一答复解决了这些问题。 如果需要进一步的支持、请告知我们。

    此致、

    Matt