[参考译文] R_silicon_TO_Ceramic

值 R_silicon_TO_Ceramic 由使用散热软件 Flotherm 的3D 有限元模型确定。  ºC 有源阵列完全点亮、则有一个标准值、对于该器件、该值为0.5 μ A/W  ºC 报告中显示的960 x 475像素部分照明阵列的示例为0.9 μ A/W  该值会增加、因为可将热量传递到封装背面的面积减小了。   

 由于 TI 已经有一个热模型、如果客户 可以共享照明曲线、我们可以轻松地重新运行该模型以确定此情形下的 R_silicon_TO_Ceramic 电阻。  了解照明点的尺寸和位置以及该区域的功率是否一致将会有所帮助。   

我要强调的一点是、这些计算适用于 CW (连续波)激光照明。  如果使用脉冲激光器、则可能会发生反射镜的瞬态发热、如果脉冲具有足够高的功率密度、这种发热会非常显著。   

此致、

Scott Overmann

尊敬的 Ray Vincent：

Scott 将在今天运行他的模型。 请给我们另外24小时左右的时间提供反馈。

此致、

Matt

您好 Ray Vincent、

ºC DLP2000 DMD 的全阵列照明、R_silicon_TO_Ceramic = 8.0 μ V/W  该值可在 DLP2000数据表中找到。  我 ºC 模型的照明面积为4.18 x 1.19mm、电阻仅略微增加至8.7 μ A/W   

此致、

Scott

大家好、

你好。 客户的另一个查询。 请参阅下面的内容。 非常感谢。

我不知道 R_mirror 到硅的值。 它说、该值应包含在 DMD 数据表中、但不在 DLP2000的数据表中。 我还需要了解 DLP9000的 R_silics-to c陶瓷 和 R_mirror-a-silicon、DMD 中心均匀照明的区域为19.3mm x 5.5mm。

我还有一个关于 DMD 热损坏的问题。 下面的硅 SRAM 相对脆弱。 是否存在因光线高辐照度而损坏 SRAM 的已知问题？

我们同样关注的是、如果微镜的一半被点亮、那么热梯度的影响也会受到影响。 例如、我们是否会在照明从全向零转换的区域附近对 DMD 进行破解？ 是否有缓解此风险的策略、例如将入射激光功率从0缓慢增加到其工作功率？

此致、

Ray Vincent

Ray Vincent、

激光照明的功率密度是多少？ 我看到有关 DMD "破裂"的问题、但我们没有发现任何正常功率密度的问题。

除非功率密度为数百瓦/cm2、否则 SRAM 和 POM 不会损坏。

我已经与 Scott Overmann 分享了最新的问题。 我们明天将能够答复。

此致、

Matt

您好、Matt、

你好。 客户 正在考虑高达35W/cm^2的功率密度。 他们只是想确保他们涵盖我们的所有基础。 非常感谢。

此致、

Ray Vincent

Ray Vincent、

DLP9000的 ºC 照明面积为19.3mm x 5.5mm、其 R_Silicon -陶瓷= 0.95 μ A/W   

R_mirror 到 silicon 仅取决于像素节点。  DLP2000和 DLP9000都使用7.56um 像素、因此这两个器件的 R_mirror to silicon 是相同的。  R_mirror 至 silicon = 4.42e5 ºC /W  请注意、该电阻值很大、因为它考虑了通过单个镜片的吸收热负载。  另请注意、后视镜具有高度反射性、因此仅会在后视镜中吸收一部分入射照明。

关于35W/cm^2的入射功率密度、我们有客户为传统投影应用提供这种可见光、从而为 DMD 提供照明。   

此致、

Scott