请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:DLPC231S-Q1 工具与软件:
DLPC231S-Q1数据表和参考设计 dlpr132的每个旁路电容器值都不同
例如、在数据表中、VCC33IO_INTF 上的旁路电容器值为0.1uF/
但是、在参考设计中、VCC3IO_INTF 上的旁路电容器值为0.01uF。
您能告诉我哪个值是正确的吗?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
工具与软件:
DLPC231S-Q1数据表和参考设计 dlpr132的每个旁路电容器值都不同
例如、在数据表中、VCC33IO_INTF 上的旁路电容器值为0.1uF/
但是、在参考设计中、VCC3IO_INTF 上的旁路电容器值为0.01uF。
您能告诉我哪个值是正确的吗?
尊敬的 Jin:
我们的团队更深入地研究了这一点、发现我们的设计在规格范围内工作、但实际上建议使用0.1uF 的电容器。 对于任何混淆、我们深表歉意。
经过进一步调查、我们发现、如果您的设计和布局与 TI 的不同、则具有更大的电容可以让您的设计中有更多的"缓冲"效果并具有更高的稳定性。 请遵循数据表中的建议。 我们最终可能会在将来改变这种设计、我们会在内部生成请求单来解决这一问题。
此致、
Michael Ly