[参考译文] TCAN4550-Q1：用于设计晶体振荡器电路的片上规格？

A.

我已将此事指派给我们的 TCAN4550-Q1专家，但我想确保您知道 TCAN4550-Q1产品文件夹中包含的 TCAN4550晶体振荡器应用说明。 本应用手册将讲述振荡器电路的设计，并包括您所询问的一些信息。 您可以在 此处找到应用说明。

此致，

埃里克·哈克特  

A.

我看到埃里克已经为您提供了应用手册的链接，其中讨论了需要考虑的 TCAN4550晶体振荡器电路设计问题。  如应用手册中所述，典型的 GM 为6.6 MS，而 OSC1的引脚电容通常为10pF，OSC2的引脚电容通常为9pF。  内部反馈电阻为500 kΩ。  振荡器输出驱动电流和输出电压水平将随 OSC1和 OSC2引脚之间放置的外部负载(包括晶体，负载盖和串联电阻)而变化。  振荡器电路由3.3V 或5V 的 VIO 导轨供电。

TCAN4550确实需要特别注意，因为它还支持单端时钟，并且它正在使用最大阈值为150mV 的比较器监视 OSC2针脚的“接地”情况。  如果 OSC2引脚上的电压低于此阈值，设备可能会切换到单端模式并禁用晶体振荡器放大器。  选择正确的负载电容器和串联电阻值将确保 OSC2电压水平将保持在该阈值以上并具有可靠的操作。

此致，

乔纳森

安比尔，

我想说这些估计的计算结果不准确，而且比实际值低得多。  这些计算在很大程度上依赖于晶体供应商需要提供的晶体的移动参数，并基于直接测量。  

数据表中指定的最大 ESR 通常是一个统计最大值，该值与实际晶体的运动阻力(RM)具有边界。  我已经看到，典型的最大 ESR (50)比晶体的实际 RM 高2倍以上。

许多晶体数据表没有指定晶体的分流电容(C0)，但通常非常小。  它会因封装尺寸和晶体频率而异，但对于40MHz 晶体，C0通常为1pF 或更低。

NDK 为用于 TCAN4550 EVM 和多种 TI 设计的 NX201SA-40M-STD-CZS-3晶体提供了多个参数，用于这些计算和设计模拟模型。  

RM = 19.73 Ω

C0 = 0.7452 pF

我没有所引用的 TI 设计中使用的其他晶体的实际移动参数，但它们可能与 NDK 相似，RM 和 C0远低于50Ω 和3pF 的估计值。  在计算中使用准确的数字可以得出一个值大于5的更准确的 GM 计算。

此致，

乔纳森