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[参考译文] TPD4E1B06:TPD4E1B06钳位电压、用于以太网应用和工作电压为3.3V 的 MCU

Guru**** 654100 points
Other Parts Discussed in Thread: TPD4E1B06, ESDS314, ESDS304
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/959129/tpd4e1b06-tpd4e1b06-clamping-voltage-for-ethernet-application-and-mcu-operating-at-3-3v

器件型号:TPD4E1B06
主题中讨论的其他器件: ESDS314StrikeESDS304

大家好、

 根据数据表、钳位电压可超过10V。 我们的客户目前使用 TPD4E1B06作为保护二极管、该二极管位于以太网 RJ45连接器和以3.3V 电压运行的 MCU (具有内置以太网 PHY)之间。 如果您有兴趣阅读详细信息、请参阅此帖子。  https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/other/f/908/t/956641。 它有点长。  我们怀疑、高钳位电压可能允许的电压高于 MCU 的设计容许值、从而在 ESD 等事件中损坏器件。 要问的问题是、TPD4E1B06是否适合应用与 MCU 连接。 对于此类应用、建议使用什么器件?

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    您好、Charles、

    如果 MCU 工作电压为3.3V、我建议使用 Vrwm 较低的器件来获得较低的钳位电压。 我会推荐 ESDS314。 它是一个4通道部件、具有3.6V Vrwm 和低得多的钳位电压(5.5V @ 16A (8kV ESD 冲击))。 这是否适合您客户的应用?

    此致、

    Matt Smith

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    您好、Matt

    问题是、我不太熟悉以太网或 ESD 保护、并假设我只能使用 TI 的 TM4C1294设计指南中的器件、而现在似乎并非如此。

    我一直在考虑将 ESDS304作为可能的解决方案、看起来 ESDS314只是一个增强器版本。

    除了 ESD 可能造成的损坏(我理解为高能量尖峰较短)之外、如果我们在探测以太网线路时看到的是电压逐渐上升、这些 ESD 二极管将尽力将其限制在3.6V、 您认为这将掩盖另一个问题、还是您认为这种上升是由 ESD 事件引起的。

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    您好、Hugh、

    如果您想了解 ESD 保护、我将从 我们培训页面顶部包含5个部分的博客系列开始。 我们还在该页面上提供了视频系列和白皮书、这些内容更加详细。 我最喜欢的指南之一是 《系统级 ESD 保护指南》。  

    关于您向我展示的电压逐渐上升的情况、振荡是正常的还是感应事件? 如果正常工作电压仅为3.3V、则上升至约4.8V (峰值)的电压似乎非常奇怪  

    此致、

    Matt Smith

     

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    您好、Matt

    我将介绍推荐的资源。

    整个问题都是根据我 的原始线程出现的。 长故事简述由于未知原因、我的定制板上的以太网 PHY 会随着时间的推移而降低。

    作为调试的一部分、我们将信号线记录到 PHY 中、并看到了上述数据、我找不到其他任何关于10Base-T 以太网 PHY 信号应该是什么样的布线、它们似乎只是显示了差分信号。

    需要注意的是、这些信号的电平似乎在高于3.3V 时浮动很大一部分、最终超出了 IO 引脚的建议运行条件。

    如果没有进一步的信息、我不知道这是预期行为还是可能损坏我的芯片、 或者、如果它被单独的 ESD 事件损坏、请注意、通过读取 我在设计指南中使用的 ESD 保护选项(TPD4E1B06)、由于其高钳位电压、看起来不合适。

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    您好、Hugh、

    感谢您的澄清、是的、我同意 TPD4E1B06钳位电压过高、无法满足您的需求。 我非常怀疑会发生多个 ESD 事件来造成这种过压情况。 但是、如果您发现问题与 ESD 有关、请随时再次对此主题作出响应。  

    此致、

    Matt Smith