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[参考译文] DS25BR100/DS25BR101输入电容

Guru**** 1624230 points
Other Parts Discussed in Thread: DS25BR100, DS25BR101
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1271775/ds25br100-ds25br101-input-capacitance

主题中讨论的其他器件:DS25BR101、DS25BR100

您好!

我想解决我的问题。

我用 LVDS 发送器保证 只有输入电容小于2pF 的接收器具有高速 LVDS 速率(2Gbps)。

我的接收器(FPGA)的问题是输入电容为~8pF。

我认为要实现你的缓冲器 DS25BR100 / DS25BR101 ,因为我看到这个缓冲器有1.2pF 的输入电容,所以这对我的发送器是可以的,但我不确定你的缓冲器是否能驱动良好的信号( LVDS 2Gbps 数据,1GHz 时钟)到我的 FPGA。

您能帮我吗?

谢谢

谢尔盖   

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    谢尔盖

    只要有机会使用 DS25BR100 EVM 并进行测试、 https://www.ti.com/tool/DS25BR100EVK?

    DS25BR100是一个3.125G LVDS 缓冲器、因此我不会看到它驱动2G LVDS 数据的问题。 我们在其数据表中还有测试通道数据、用于显示其驱动能力。

    谢谢
    大卫

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    尊敬的 David:

    您的缓冲器和发送器是一样的,所以为什么缓冲器输出(发送器)不依赖于负载的 C 输入呢?

    我的 PHY LVDS (发送器)承诺在输入负载最大为2pF 的情况下支持2Gbps 的 速率、所以我之所以放置您的缓冲器、是因为我输入了缓冲器的电容<2pF、但是缓冲器的输出速率是多少、取决于负载的输入电容?

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    您好!

    我们尚未对具有 不同负载电容的 DS25BR100进行表征、我建议您使用 DS25BR100 IBIS 模型模拟不同负载条件、或使用 EVM 进行实际物理测量。 可通过该链接  https://www.ti.com/product/DS25BR100#design-development 获取 IBIS 模型

    谢谢

    大卫