您好!
我想解决我的问题。
我用 LVDS 发送器保证 只有输入电容小于2pF 的接收器具有高速 LVDS 速率(2Gbps)。
我的接收器(FPGA)的问题是输入电容为~8pF。
我认为要实现你的缓冲器 DS25BR100 / DS25BR101 ,因为我看到这个缓冲器有1.2pF 的输入电容,所以这对我的发送器是可以的,但我不确定你的缓冲器是否能驱动良好的信号( LVDS 2Gbps 数据,1GHz 时钟)到我的 FPGA。
您能帮我吗?
谢谢
谢尔盖
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我用 LVDS 发送器保证 只有输入电容小于2pF 的接收器具有高速 LVDS 速率(2Gbps)。
我的接收器(FPGA)的问题是输入电容为~8pF。
我认为要实现你的缓冲器 DS25BR100 / DS25BR101 ,因为我看到这个缓冲器有1.2pF 的输入电容,所以这对我的发送器是可以的,但我不确定你的缓冲器是否能驱动良好的信号( LVDS 2Gbps 数据,1GHz 时钟)到我的 FPGA。
您能帮我吗?
谢谢
谢尔盖
谢尔盖
只要有机会使用 DS25BR100 EVM 并进行测试、 https://www.ti.com/tool/DS25BR100EVK?
DS25BR100是一个3.125G LVDS 缓冲器、因此我不会看到它驱动2G LVDS 数据的问题。 我们在其数据表中还有测试通道数据、用于显示其驱动能力。
谢谢
大卫
您好!
我们尚未对具有 不同负载电容的 DS25BR100进行表征、我建议您使用 DS25BR100 IBIS 模型模拟不同负载条件、或使用 EVM 进行实际物理测量。 可通过该链接 https://www.ti.com/product/DS25BR100#design-development 获取 IBIS 模型。
谢谢
大卫