主题中讨论的其他器件:TCA6424、 SN74HCS74、
大家好、
我的客户正在测试 SN74HCS86PWR。 客户选择该器件是因为它具有极低的 IQ。 客户发现在室温和高温测试中、IQ 正常。 ℃在低温测试(-10 μ A)中、IQ 大幅增加。 那么、我只想与您确认这是正常现象吗? 在低温测试中、什么可能导致 IQ 增加? 谢谢。
此致、
韦恩
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大家好、
我的客户正在测试 SN74HCS86PWR。 客户选择该器件是因为它具有极低的 IQ。 客户发现在室温和高温测试中、IQ 正常。 ℃在低温测试(-10 μ A)中、IQ 大幅增加。 那么、我只想与您确认这是正常现象吗? 在低温测试中、什么可能导致 IQ 增加? 谢谢。
此致、
韦恩
理论上、泄漏电流应随温度的升高而降低。
此测试中的输入电压是多少?
您好、Wayne、
在 Clemens 问题上、您还能提供测量的实际电流值吗?
您好!Dylan、
让我添加更多背景。 客户电路板具有7个 SN74HCS86和14个 SN74HCS74以及1个 MCU 和1个 TCA6424。 首先、我们认为 SN74HCS86会导致低温测试期间的 IQ 增加。 但现在已经弄清了它实际上是 由 SN74HCS74引起的。 测试步骤如下:(电路板由3.3V 输入电压供电)
1.将 7个 SN74HCS86及其外部组件焊接在电路板上。 保持 SN74HCS74、MCU、TCA6424未焊接。 在℃μ A 和-40 μ A℃中、3.3V 输入电源上的电流为~μ A、这是正常情况。
然后、我们将 7个 SN74HCS86器件保持焊接状态、 并将14个 SN74HCS74焊接到电路板上。 MCU 和 TCA6424未焊接。
在 ℃μ s 测试中、当电路板刚通电时、3.3V 输入电源上的电流可达到200uA。 ~30秒后、电流降至~nA
在 -40℃测试中、3.3V 输入电源上的电流 随着温度的降低而不断增加。 当温度保持在-40℃时、电流最终达到300uA。
SN74HCS74原理图:
谢谢
此致、
韦恩
您好 Clemens,
请看我对迪伦的答复。 谢谢。
此致、
韦恩
测试期间、CLR、SW1_CLK 和 SW2_CLK 的电压是多少?
大家好、Clemens、
测试期间、MCU 和 TCA6424 未焊接。 SW1_CLK 和 SW2_CLK 连接到 SN74HCS86。 CLR 为悬空状态。 但在低温测试中测量这些引脚并不方便。
此致、
韦恩
浮点 CMOS 输入将具有较大的击穿电流;请参阅 [常见问题解答]慢速或浮点输入如何影响 CMOS 器件?
大家好、Clemens、
我与客户进行了双重检查。 CLR 信号不悬空。 它们通过电阻上拉至3.3V、并连接到 MCU。 测试期间、MCU 未焊接、但有上拉电阻器、因此 CLR 信号不悬空。 很抱歉让人困惑。
因此 、对于 SN74HCS74、在测试期间没有悬空的引脚。 您对此问题还有其他建议吗? 谢谢。
此致、
韦恩
在正常温度下~30s 的电流也很奇怪、需要对此进行解释。 (或者是否有一些电容器需要这么长的充电时间?)
您所展示的内容没有明显的解释。 如果能够找出电流确切流向的位置、那将会有所帮助。