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[参考译文] SN74LVC1G125：SN74LVC1G125DCKR 的 CPD

admin
Guru**** 543840 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1203512/sn74lvc1g125-the-cpd-of-sn74lvc1g125dckr

器件型号：SN74LVC1G125

您好！

1. CPD 指的是哪个电容器？ 我注意到 CPD 通常与 CI/Co 分开标记 在哪种情况下、我们需要考虑 CPD 参数？
2、ΔICC 和 Icc 的区别是什么? 仅从测试条件来看、似乎并没有太大的区别。 在什么情况下我们需要考虑 ΔICC？

此致、

查理

  • 0
    TI__Guru**** 543840 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Charlie。

    CPD 是器件中内部寄生电容的度量单位、可用作动态功率损耗的近似值。 您可以在以下应用手册中了解有关此内容的更多信息： CMOS 功耗与 Cpd 计算。 当开关速度非常快、因此动态损耗较高时、应考虑 CPD。

    ICC 是器件稳定运行时的电源电流测量值、因此输入为 GND 或 VCC。 这是理想的操作情况。  ΔIcc 在不同工作点 Vcc - 0.6处测量的 Δ I。 在此运行中、通过"关断" FET 的泄漏更多、从而导致更多的电流使用。  当高电平信号的输入电压低于 Vcc、低电平信号的输入电压高于接地电压时、可以考虑 ΔIcc μ V。

    重要的是、这两个值都适用于特定的测试用例、不应被视为绝对额定值。

    您可能还会发现此常见问题解答有用： [FAQ]慢速或浮点输入如何影响 CMOS 器件？

    此致！

    伊恩