This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BOOSTXL-DRV8304H:为什么 MOSFET 在出现软件问题后被烧坏?

Guru**** 633805 points
Other Parts Discussed in Thread: BOOSTXL-DRV8304H, DRV8304
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1069479/boostxl-drv8304h-why-the-mosfet-is-burned-after-a-software-problem

部件号:BOOSTXL-DRV8304H
“线程”中讨论的其它部件: DRV8304100A

您好,

我经历了一个非常糟糕的时刻,我正在努力调整我的算法中的 PID 控制器,突然我看到了 MOTC MOSFET 上的烟雾和一些照明。

我拔下了电源,我看到 MOSFET C 和分流电阻器损坏。 MOSFET 短路,并联电阻器开路。
我的预期是 VDS 和 Vsens 过程应该保护我的 MOSFET 免受灾难的影响。
我的假设是,堆栈溢出后,ADC 数据的变量被覆盖,此后输出非常高,并形成短路。(可能是一个声喊或荷兰循环,大约为100%或0%)

高和低 MOSFET 均短路 ,板损坏。

你能解释一下吗? 为什么 VDS 保护或 Vsens 都无法保护 MOSFET?

敬礼:

尼科斯

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尼科斯,你好

    在 DRV8304H 上,默认设置为以下设置:

    VDS_OCP = VDS 引脚设置
    VSEN_OCP = 1V
    Tocp_dg = 4.5 us
    OCP_MODE = 4毫秒自动重试

    idrive = IDRIVE 引脚设置
    模式=模式针脚设置
    增益=增益针脚设置

    MOSFET 1/2桥接器块的 Qgd = 26nC,因此我会确保 IDRIVE 设置不超过100-200mA,以便在高电流下不会太快地启动 MOSFET。 上使用的 FET  

    请您分享:

    • BOOSTXL-DRV8304H 使用的电压/电流是多少?
    • 您使用的是什么模式?
    • 您的 IDRIVE 引脚设置是什么?
    • 您的 VDS PIN 设置是什么?
    • 出现软件问题(如打滑或启动/停止)时,电机的状态是什么?
    • 当发生故障时,您是否阅读了 nFAULT 引脚并采取任何保护措施,例如关闭 PWM 和/或启用低电平?

    谢谢,
    亚伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,Aaron,

    我使用默认设置。 我的电压为12伏。  

    马达正在旋转,我确信堆叠溢出的位置是正确的。 溢出后,软件会在分流电阻器开始起火后,以及在销毁了几毫秒 MOSFET 和并联电阻器后发出未知请求。n 故障引脚未接合,并且未从 drv8304侧记录该错误。  
    由于 MOTC 中的两个 MOSFET 都短路,我认为这是一个非常棒的情况。  

    ‘s 很难调试,因为 MOSFET 起火。 现在我已经修复了主板,但如果主板将再次损坏,那么我就不可能 进行新的修复。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尼科斯,你好  

    对于默认设置,您是不是指在运行电机之前使用 BOOSTXL-DRV8304H 而不进行任何修改?

    查看 EVM 文件,我看到了以下设置:

    • idrive = Hi-Z = 90mA/180mA 源/吸收器
    • 模式= 47k 至接地= 3x PWM 模式
    • 增益= 47k 至接地= 10 V/V

    上述设置是否确认了您的期望?

    再次尝试评估时,是否可以将 IDRIVE 设置为较低的设置,即删除 R16和 R23 = 0欧姆或18欧姆到 GND? 另外,请卸载马达或使用较小的刻度马达旋转马达并评估其它功能(例如 CSA)在运行大型电源应用程序之前,避免出现故障情况。 此外,在运行电动机时,您是否可以监视 VDS 电压,以确保 FET 的启动速度不会太快(最低上升/下降时间为100-200ns)。 这些预防措施将有助于防止损坏并在电机评估期间增强故障保护。  

    谢谢,
    亚伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,

    是的,我使用 BOOSTXL-DRV8304H 设备而不做任何修改。

    在下面的图片中,我监控了 MOTC 引脚,它似乎没有那么快。 如果我能正确看到,从地面到虚拟机需要500多 ns。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尼科斯,你好

    VDS 转换率似乎很好,感谢共享。

    另一件事是,H/W 设备中的停机时间自动设置为120ns。 插入更多 MCU 失效时间是否有帮助? 如果 MCU 失效时间超过120ns,则栅极驱动器输出失效时间将为 MCU 失效时间。  

    您能否测量以下有关 GND 的信号,了解栅极驱动器的工作情况,以查看是否有正确的栅极驱动器切换?

    • GHZ
    • SHX
    • GLX
    • SPX

    我希望确保浇口驱动打开/关闭波形看起来良好,显示米勒高原和应用中导致问题的阶段的正确死机时间。 请放大以显示 HS 和 LS MOSFET 的 VGS。  

    由于使用了3x PWM 模式,您是否给出了 INLx =1和 INHx =高或低以切换 FET?  

    谢谢,
    亚伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好,我需要一些时间进行测量,现在是24:00,所以我今天无法发布。

    我不使用 UC 的死时间,因为我知道 drv 有死时间配置。

    我在 INHx 上使用 PWM,INLx 始终为高,因此 SHX 引脚根据 PWM 信号在 H/L 之间切换。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    好的,  

    感谢您的澄清。  从 SW 运行到未知状态的那段时间来看,大量电流经过相位 C LS MOSFET 已很长时间,并导致分流电阻器发生故障, 然后,如果身体二极管正在再循环电流,则 FET 在直通条件下发生故障。 不管怎样,如果 SW 条件未知,可能难以诊断。  

    谢谢,
    亚伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,好的,我会尝试确切地找出问题。 您能否解释为什么 DRV8304无法保护 MOSFET?  

     Vsens 是否应识别分流电阻器的电流过大?   

    PS。 我不小心将此主题标记为已解决,您能否修复?

    谢谢,  

    尼科斯

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尼科斯,你好

    EVM 上的分流器为7mohm,3W 额定值。 因此,要使1伏电压跳闸 VSEN_OCP,我们需要将100安以上的电压散至4.5安以上。 如果在 VSEN_OCP 由于3W 额定功率而触发之前,1到4 us 发生这种情况,分流器可能会失败。 同样,在软件出现故障时,如果没有波形或已知的输入行为,很难确定确切的根本原因。


    谢谢,
    亚伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,Aaron,

    电阻器被加热成2块,而我的热能膜温度 已达到361摄氏度。  

    我认为目前的电流超过100安培。

    谢谢,

    尼科斯

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尼科斯,你好

    分流电阻器的温度非常高。 BOOSTXL-DRV8304不建议在15-A 以上使用

    谢谢,
    亚伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,Aaron,

    我知道,这不是我的正常操作,这种温度是在软件的错误状态和未知行为之后捕获的。

    谢谢,

    尼科斯

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尼科斯,你好

    要解决此问题,请帮助确定导致此问题的软件问题吗? 如果您想确认 DRV8304过电流保护对 VSEN_OCP 的作用是否正确,您可以做的一件事就是在打开相位相关的 INLx 的同时,在分流电阻器上施加>1V 的电压(如果尚未更换)。 当 INLx 偏高时,该相(相位 x)的相关分流器将监控 VSEN_OCP。  

    谢谢,
    亚伦