[参考译文] DRV8343-Q1：独立半桥和独立FET模式

你好，新一山，  

当DRV8343-Q1配置在相位A和B的独立半桥和相位C模式的独立FET (模式= 100b)中时， 相位A和B能否用于驱动两相直流电机，相位C能否用作高端或低端驱动器，以便同时驱动电磁阀？

是的，当然，这是此模式的目的，因此可以支持多个负载配置。  

如果支持此用法，在此模式下是否需要注意？ 我想知道此模式是否会限制某些功能，如诊断或保护功能。 如果我举个例子，我担心相位A和B与模式= 000b相比是否有一些限制，相位C与模式= 111b相比是否有一些限制。

独立半桥PWM模式不应有任何限制。 这与3x PWM模式类似，强制执行死机时间，所有诊断应正常工作。  

注此设备的"H"版本不支持此模式(100b)，因此如果将来使用硬件设备，则模式101b可能更有优势。  

打开加载诊断程序

高侧或低侧驱动器不支持开载检测(参见下文)。  

在使用HS+LS驱动器时，断路负载应适用于电磁阀配置(见下文)，因为电磁阀两侧都有活动的上拉和下拉电源。  

对BAT/GND诊断短路

HS驱动器不允许对BAT短路保护工作，LS驱动器不允许对地短路保护工作。  

HS+LS驱动器可以使对BAT/GND短路诊断工作。  

谢谢！
亚伦