您好,
我在测试锁存OCP模式时发现了这个奇怪的问题。 发生OCP后,nFAULT将变为低电平,FET将按预期的方式为HI-z。 但是在这种状态下,如果nSLEEP被驱动为低电平,则FET看起来像是瞬间打开的:
请注意,要执行此测试,在输出和输出之间应用了短路,因此当FET打开时电流会达到峰值。 奇怪的是,nFAULT的情况是这样的。 下一个测试显示相同的程序,但这次不显示短路:
这里看起来有两种FET打开的情况? 这次,nFAULT线看起来很干净。
对可能发生的情况有什么想法?
杰罗姆