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[参考译文] 电机驱动-FET-LOSS-CALC_Rev1a

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1108776/motor-drive-fet-loss-calc_rev1a

主题中讨论的其他器件:电机驱动-FET-LOSS-CALC

您好、TI、

我在  TI 网站上找到了这款电机驱动-FET-LOSS-CALC 工具、这款工具非常有用。  

对于低侧 MOSFET 开关损耗、仅考虑电机的电频率、而忽略开关频率。 有人能解释一下吗?

对于基于 MOSFET 和 IGBT 的梯形和 FOC 工具、我非常期待这种工具用于基于 FOC 的控制算法。  

感谢您的支持

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    Vignesh、

    我将把这个问题转移到 BLDC 论坛、以便作出回应。   

    此致、

    Ryan

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    尊敬的 Vignesh:

    这似乎是一个拼写错误。 我们将进行双重检查。  

    我们在 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1078268/faq-bldc-integrated-mosfet-thermal-calculator?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=faq%3Atrue 上提供了用于集成 MOSFET 器件的 FOC 和 TRAP 计算器

    谢谢、
    Aaron

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    你好,Aaron  

    感谢您的回复。

    我们正在寻找 FOC 的工具 moter-drive-fet-loss-Calc。 我们的产品在 DRV8353RS 上运行、具有梯形控制功能、目前计划向 FOC 填充。 因此、我们尝试评估电流 MOSFET、因为 FOC 会增加 MOSFET 的开关损耗。

    您是否有确切的工具、如 电机驱动-FET-LOSS-CALC、但用于 FOC?

    谢谢。

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    尊敬的 Vignesh:  

    我得到了反馈、下面的公式对以下内容进行了解释:

    [~ userid="390127" url="支持/电机驱动器组/电机驱动器/f/电机 驱动器论坛/1108776/MOTOR-DRIVE-FET-LOASE-calc_rev1a]*对于低侧 MOSFET 开关损耗、仅考虑电机的电气频率、开关频率忽略不计。 有人能解释一下吗?

    这适用于单极开关、 低侧 FET 为软开关。

    我们没有 用于 FOC 的电机驱动-FET-LOSS-CALC 等工具。  

    具体而言、您尝试计算 FOC 中的开关/导通/二极管损耗是多少? 如果您共享使用的 MOSFET、我们可以帮助进行计算。

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron、您好!

    感谢您的回复。

    对于单极开关、低侧 MOSFET 也将在开关频率下运行。 请参阅下图

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    尊敬的 Vignesh:

    我将在星期一收到有关此问题的答复。  

    谢谢、
    Aaron

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    尊敬的 Vignesh:

    单极图似乎不正确。 该图显示了正负电流极性的60度开关和60度钳位。  

    我们假设单环路开关在120度正电流周期内、高侧和低侧开关都是互补的。 在120度负电流期间、低侧开关完全导通。 请参见下面的。  

      这在数据表中被称为"高侧调制"。

    在低侧调制和混合调制中、我们将具有相同的总损耗。 在低侧调制中、高侧开关将进行软开关。 整个开关损耗将是低侧的一部分。 在混合调制中、开关损耗将在 HS 和 LS 开关之间分摊。  这称为同步调制。 请参见下面的。  

    谢谢、
    Aaron

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    感谢单极开关的澄清。

    如表中所述、低侧 MOSFET 也在互补 PWM 下运行、但开关损耗仅考虑电机电气频率而不考虑 PWM。

    我假设这是因为电流已经流经 MOSFET 的体二极管、因此低侧 MOSFET 的开关损耗不适用。

    我的理解是对的?

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    是的、Vignesh、您的理解是正确的。  

    谢谢、
    Aaron