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https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1113264/drv8328-how-to-understand-igs-total-average-gate-drive-current
您好、专家、
在数据表中、IGS 为30mA (最大值)：
如何了解此参数？
IGS 和拉电流之间有何差异？
在实际应用中、我观察到运行 BLDC 时 GVDD 下降。 您能否列出可能的原因？
谢谢！
伊斯天
您好、伊斯迅、
希望你们做得好！
我很乐意为您提供帮助。
术语 IGS 是指用于激活高侧 MOSFET 的平均电流。 对于 DRV8328、电流为30mA。 要导通 MOSFET、需在 MOSFET 的栅极上施加源极电流(栅极驱动电流)、但由于 MOSFET 在 BLDC 应用中持续关断和导通、因此我们使用术语 IGS 来计算开关频率和 MOSFET 开关数量。 以下应用手册中的公式7显示了如何计算平均电流或 IGS。
应用手册： www.ti.com/.../slva714
需要明确的是、源极电流是栅源极电压(Vgs)达到 MOSFET 米勒平坦区所需的瞬时电流。 它取决于所用 MOSFET 的特定电荷(Qg)、可使用上述应用手册的公式5进行计算。
最后，当器件通电时，GVDD 会短暂下降，因为它在低侧 MOSFET 导通时正在对 Booststststrap 电容器充电，因此预期会出现较小的“纹波”。 但是、如果 GVDD 长时间保持低电平、可能是因为 GVDD 电容离器件太远、导致通过走线长度增加电感。 另一个可能的原因可能是 GVDD 电容较低、无法将 GVDD 处的电压调节为大容量电容。
如果您需要有关 GVDD 的更多帮助、请向我们提供波形输出、以便我们更好地满足您的特定需求。
希望这能解答您的问题！ 如果您有任何疑问、请告诉我。
此致、
Akshay
您好、Akshay、
感谢您的大力支持。
有关 计算 APN 中的 I_avg：的更多信息
I_AVG = 44nC * 6 * 45kHz = 11.88mA
"6"表示系统中有6个 MOS。 但我认为同时 只有2个 MOS (陷印)或3个 MOS (FOC)开关。
这些开关 MOS 需要来自 GVDD 的电流、而其他 MOS 不需要来自 GVDD 的电源电流。
因此 、我认为"#MOSFETS 开关"应该是2 (陷阱)或3 (FOC)。
期待您的评论
谢谢
嗨、伊斯迅、
您是正确的、该公式是指 MOSFET 开关的数量。 对于 DRV8328、MOSFET 从 GVDD 获取栅极电荷。
对于陷波控制、我们针对特定相位同步切换了1个高侧和1个低侧 MOSFET。 (注意：其中一个相位的附加低侧 MOSFET 处于开启状态、但它仅打开一次、然后保持开启状态2个换向状态、因此对 IAVG 的影响微不足道、因此可以忽略不计。) 因此、正如您提到的、我们说打开的 MOSFET 数量是2。
在 FOC 中、所有6个 MOSFET 都将根据 PWM 频率进行开关、因此 IAVG 公式中的 MOSFET 数量将为6。 将有3个高侧 MOSFET 依靠 GVDD 为自举电容器充电、还有3个低侧 MOSFET 也依靠 GVDD 开启。 即使 MOSFET 将在短时间内导通、GVDD 的需求也取决于导通 MOSFET 所需的电荷量、因此将计入 IAVG 的公式。
我希望这能提供一些解释。 请随时提出您可能遇到的任何问题。
