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[参考译文] DRV8300：当，DRV8300时、高侧 MOS 和低侧 MOS 同时短

admin
Guru**** 651100 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8300
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1131374/drv8300-when-using-drv8300-high-side-mos-and-low-side-mos-be-short-at-the-same-time

器件型号：DRV8300

您好、TI 成员

－－－在电机控制中使用 DRV8300时，  

有时 我们发现 高侧 MOS 和低侧 MOS 同时短路、总线电流可能大于 200A (__LW_AT__我猜）

电源是锂电池组；

检查如下，Q5和 Q6 短路--- 漏极、源极、栅极  彼此短路 ；

DRV8300本身 具有死区时间保护，因此  在这种情况 下，将导致上述情况，我无法确定。   

  我们在软件中没有做任何限制，请注意

plz 帮助  

谢谢~~~

plz

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    TI__Guru**** 651100 points
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    您好！

     我将与团队协商、并在下周结束前提供反馈。

    此致、

    Akshay

  • 0
    TI__Guru**** 651100 points
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    您好！

    感谢您的耐心等待。

    为了更好地帮助您、我想知道正在使用哪个型号的 drv8300吗？

    如果在高侧和低侧 MOSFET 同时导通的情况下遇到击穿情况、则可能选择的死区时间不足。 在 DRV8300的某些型号上、您可以使用放置在 DT 引脚和 GND 之间的电阻器来增加死区时间。

    死区时间是一个设定的时间、用来防止 HS 和 LS 同时导通。

    如果上升/下降时间非常短、我们可以看到两个 FET 同时导通。


    Trise/Fall = QgD/Isource/Sink


    我查看了 FET (BSC070N10NS5)的 Qgd、并看到了6nC 的值。 因此、I DRIVE 为750mA 时、上升时间为6nc/0.75A = 8ns。 这非常快、我们通常建议快速开关的上升/下降时间为200/100ns。 栅极电阻器应该有助于实现这一点、但这可能还不够。

    VDRAIN、SHx 和 GHx 的波形可能有助于调试此问题。

    此致、
    Akshay

  • 0
    TI__Guru**** 651100 points
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    您好！  

    由于不活动、现在关闭主题-您能告诉我们问题是否已解决？  

    请告诉我们是否需要有关此问题的进一步支持。 谢谢  

    此致、  
    Andrew