[参考译文] DRV8323：使用智能栅极驱动器选择合适的栅极串联电阻器

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：DRV8323

在查看参考设计时、我认识到 TIDA-00774 使用的是串联栅极电阻(3R3)、其中 TIDA-01516 剂量不使用。

在研究该方向时、我发现了一些文档、例如《栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南》、其中介绍了如何选择串联电阻器、但并不特别适用于智能栅极驱动器。

您是否有设计指南或有关如何使用 DRV8323等智能栅极驱动器选择合适串联栅极电阻的说明？

提前感谢您

托比亚斯

0 admin 1 年多前

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嗨、Tobias、

因此、智能栅极驱动技术的吸引力在于能够控制您的 IDRIVE 或栅极驱动电流。

选择 Idrive 时、必须根据以下公式考虑 MOSFET 的压摆率或上升/下降时间：

Trise/Fall = QGD / ISource/Sink

我们看到客户使用100-200ns 的上升/下降时间来实现快速开关。

现在、栅极电阻器可用于进一步限制 Idrive。这取决于 MOSFET 的选择和布局注意事项等我们建议查看默认 Idrive 下的有效压摆率。然后根据需要调整 Idrive 设置。然后、您可以决定是否要添加栅极电阻器以进一步降低栅极驱动电流或缓解振铃(如果存在)。

此致、

Akshay

0 admin 1 年多前

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您好、Akshay、

那么、对于智能栅极驱动器、您建议在检测到栅源极电压振铃时增大串联栅极电阻？

这种增大的串联栅极电阻如何影响意外的栅极开关导通？应用的 ISTRONG 是否存在差异、或者是否始终调节至最大2A？

请参阅应用简报"使用 DRV3255-Q1"为每个 FET 单独放置的前置栅极电阻器来驱动并联 MOSFET "、以实现并联 FET 的相似开关行为。如何确定它们的尺寸？

是否有建议的最大串联栅极电阻来确保 DRV 正常运行？

感谢您的快速响应。

此致

托比亚斯

0 admin 1 年多前

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嗨、Tobias、

如果 MOSFET 压摆率太快并且存在振铃、我建议添加栅极电阻。

是的、增加的栅极电阻应降低意外导通栅极的可能性。

如果降低 Idrive 不足以防止意外导通或存在击穿、我建议添加栅极电阻。

如果有一个栅极电阻器、ISTRONG 将低于2A。

对于并联 MOSFET、我建议为每个 FET 使用相同的电阻。但电阻的实际值将取决于您的特定设计和观察到的压摆率。

希望这能提供一些澄清。

此致、

Akshay

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