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[参考译文] DRV8323R:原理图审阅

Guru**** 1134880 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD88599Q5DC, CSD88584Q5DC, CSD87334Q3D, DRV8323, BOOSTXL-DRV8323RH
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1162729/drv8323r-schematic-review

器件型号:DRV8323R
主题中讨论的其他器件:CSD88599Q5DCCSD88584Q5DCCSD87334Q3DDRV8323

尊敬的 TI 团队:

我想看看您能否快速浏览一下此设计、看看我是否错过了原理图中的任何重要连接、我遵循了您的规格表和应用手册的设计指南。

设计规格:

  • 最大电压为26.7V 时最大电流为20A
  • 单分流电阻器感应、仅使用一个电流感应放大器(SOA)来感应电机电流
  • DRV 器件的直流/直流开关稳压器将为系统提供最大电流为150mA 的3.3V 电压
  • 1xPWM 配置
  • DRV 由外部 MCU 控制/与之通信。  

如果您有任何反馈或其他问题、请告诉我。 我将尽可能快地提供和响应。

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    尊敬的 Patryk:

    CSD87334Q3D 是一款设计用于直流/直流降压转换器的电源块、我认为更好的选择是半桥、例如 CSD88584Q5DC 或 CSD88599Q5DC。

    此致、
    Grzegorz

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    Grzegorz、您好!

    感谢您的反馈、我选择了 CSD87334Q3D、因为它的尺寸很小、而且 TI 也对它进行了电机控制描述、遗憾的是我们使用的是一个小电路板。 您是否认为在使用  CSD87334Q3D 而不是您提到的半桥时会出现重大问题?  

    此致、

    Patryk。

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    尊敬的 Patryk:

    CSD87334Q3D 是经过优化的半桥、适用于直流/直流转换器、其最佳效率在300kHz - 1MHz 范围内、而电机驱动器通常在10-100kHz 范围内工作。 在直流/直流降压转换 器中、HS MOSFET 针对开关损耗进行了优化、而 LS MOSFET 针对导电 MOSFET 进行了优化、但在 CSD87334Q3D 中、两个 MOSFET 看起来是相同的。 我想、除非需要高开关频率、否则使用 CSD88584Q5DC 等半桥会比使用 CSD87334Q3D 更容易获得更低的功率损耗。

    通过查看 DRV8323和 CSD87334Q3D 数据表、我们可以注意到 CSD87334Q3D 针对5V 栅极驱动器进行了优化、具有绝对最大值 电压为10V。 DRV8323 HS 栅极驱动器电压(Vgsh)可高达12.5V、如果栅极驱动器向 CSD87334Q3D 提供12.5V 电压、会发生什么情况?

    -是否会销毁 CSD87334Q3D?

    - CSD87334Q3D 内部二极管(我想有些保护二极管)是否会开始将栅极电压限制在10V? 它是否会导致 GDV 故障?

    -如果保护二极管开始导通、其恢复电荷会改变 MOSFET 开关行为吗?

    我不能说在您的应用中使用 CSD87334Q3D 是不可能的、但它可能会带来一些额外的问题、需要解决。

    此致、

    Grzegorz

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    非常感谢您向我解释这一点。 我总是觉得了解 BLDC 驱动器的功率级很有挑战性、非常感谢您为理解该功率级所提供的所有帮助。

    此致、

    Patryk Szczesny。

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    您好、Patryk、

     

    请在原理图审阅中查找随附的 PDF。

     e2e.ti.com/.../DRV-Schem1_2D00_-TI-Reviewed.pdfe2e.ti.com/.../DRV-Schem2-_2D00_-TI-Reviewed.pdfe2e.ti.com/.../DRV-Schem3-_2D00_-TI-Reviewed.pdf

    此致、

    Akshay

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    感谢您对 Akshay 的评论、请仔细阅读您的评论。 SPI 线路的上拉电阻将位于项目的 MCU 侧、除非它在更靠近 DRV 器件时更有效?

    在原理图2中、是的、这是低侧连接到 SPA 和 SNA 的位置。 至于半桥、我现在要求设计部门允许 PCB 尺寸变化、以便我们可以安装推荐的桥。

    此致、

    Patryk。

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    尊敬的 Patryk:

    您设计中的去耦电容 C3、C4和 C5接地至 GND (感应电阻器底部)、在 BOOSTXL-DRV8323RH EVM 板上、这些电容 A 接地至感应电阻器的顶部。 第一种解决方案在电流较低时工作正常、而第二种解决方案在电流较高时工作更好。 对于20A 驱动器、这两个驱动器都应该可以工作。 在高电流和高 di/dt 的情况下、由于感应电阻器的寄生电感、感应电阻器上会出现高电压尖峰和振铃。 第二种解决方案将感应电阻器放置在高 di/dt 环路之外。 对于20A 驱动器、100nF 电容器可能更合适。

    如果是您的此类驱动器的第一个设计、我将首先检查 EVM 板上是否所有主要所需功能都正常工作、然后使用 EVM 板作为设计我自己的 PCB 的起点(布局非常重要)。

    此致、

    Grzegorz

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    您好、Patryk、

     

    对于 SPI、我们建议以差分方式远离敏感模拟信号(CSA 输出)。

     SDO 和 nFault 等开漏输出不应太长。

    SDO 线路上的上拉电阻应靠近 DRV 引脚放置。

     

    希望这对您有所帮助。

     

    此致、

    Akshay