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[参考译文] DRV8305-Q1EVM：有关6-PWM 模式的查询。

admin
Guru**** 537930 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8305-Q1EVM, DRV8305
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/950281/drv8305-q1evm-inquiry-about-6-pwm-mode

器件型号：DRV8305-Q1EVM
主题中讨论的其他器件： DRV8305

你(们)好  

我的客户正在使用 DRV8305-Q1EVM 进行测试。

它未使用 EVM 中删除的 DSP 和 DSP 接口。

DRV8305EVM 的配置寄存器使用默认设置，仅使用6-PWM 模式配置。

在 DRV8305的数据表中、当 INHx 和 INLx 都设置为低电平时、GHx 预计为低电平。

但是 、当 INHx 和 INLx 都设置为低电平时、GHx 就像下面连接的波形那样为高电平。

他希望同时关闭高侧 FET 和低侧 FET。

请勾选并回复。

谢谢。

  • 0
    TI__Guru**** 537930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Robin、

    请注意、下面的6x PWM 图表可能显示 L 和 H、但更准确地说内部高侧或低侧保持低电平或高电平。 如下面的栅极驱动器架构图所示、将内部低侧保持在高侧驱动器上将有效地将 SHx 和 GHx 短接在一起(因此外部高侧 FET 不会导通)。 您可以看到这一点、因为 V_GH_A 上的电压始于0V、并在每次转换时上升至非零电压  

    这意味着、您在此期间正在探测有效的 SHX 电压、这可能是非零电压的原因很多、因为我不知道您驱动的负载(例如电机创建的 BEMF)、 或您使用的算法(例如、6级梯形、其中电机相位将浮动、允许检测 BEMF)

    请记住、将高侧栅极保持在低电平的目标是、我们不希望外部高侧 FET 导通。 因此、我建议探测 SHx 和 GHx 以查看它们是否是相同的电压(以确保 V_GS = 0V)。  这意味着、栅极驱动器正在执行任务、高侧 FET 关闭。

    最棒的

    Cole

  • 0
    TI__Guru**** 537930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好  

    寄存器映射如下所示。

    HS 栅极 驱动 控制：0x344

    LS 栅极 驱动 控制：0x344

    栅极 驱动 控制 ：0x1b6

    IC 操作：0x20

     电压调节 器控制：0x10a

    VDS 感测 控制：0x3c8

    即使栅极驱动控制寄存器的 PWM 模式设置为11或00、症状也是相同的。
    PWM 模式(11)和 PWM 模式(00)之间有何区别？

    包括 SHX 在内的波形如下。

    1Ch - A 相位输出

    2ch - SNA

    3通道- GHA

    4通道- GLA  

    请给我详细的建议。

    谢谢、

    此致、

    Robin

  • 0
    TI__Guru**** 537930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Robin、

    PWM 模式(11)和 PWM 模式(00)之间有何区别？

    没有区别、两者都将使用数据表和本文中的6x PWM 真值表。

    寄存器映射：

    我不会看到寄存器映射值本身有任何错误。 实际上、它们主要反映默认设置。

    V_G 和 V_S 与 V_GS：

    根据波形、我想从左到右的顺序是：

    1. PWM 或在 INHA = 0b0、INLA = 0b1和 INHA = 0b1、INLA = 0b0时在 INHA = 0b0之间切换
    2. PWM 或在 INHA = 0b0、INLA = 0b1和 INHA = 0b1、INLA = 0b0时在 INHA = 0b0之间切换
    3. Inha = 0b0、INLA = 0b0、或 Inha = 0b1、INLA = 0b1  
    4. INHA = 0b0、INLA = 0b1
    5. INHA = 0b0、INLA = 0b1
    6. INHA = 0b1、INLA = 0b1或 INHA = 0b0、INLA = 0b0
    7. 重复

    虽然图中的伏特/除法不同、但很明显、在步骤3或步骤6期间、 1CH - A 相位输出等于 与3CH - GHA 相同的电压。 这意味着、V_GS = 0V、MOSFET 无法导通(因为 V_G - V_S < V_TH)。 如我的第一个图中所示、这是预期的、因为将栅极的内部下拉电阻器关闭会使 V_GHA 和 V_PhaseA 等于相同的电压。 请随意重新获取数据并使用光标查看两个通道是否都接近0V。

    因此，没有人担心。 高侧 FET 和低侧 FET 均关断。

    这是典型的电机驱动器设计、因为将 HS 栅极保持在0V (这将是 V_G - V_S <<< V_TH)、意味着栅极必须连接在 GND 和 V_CPH 电压之间。 这是一个问题、因为糟糕的布局通常会导致 GND 反弹至高于0V 的电压、如果低速或占空比应用中相位上的电压接近零(其中 V_S 或 V_Phase 接近0V)、则可能会打开 FET。 因此、我们可以通过将高侧栅极信号绑定到相位或源极节点而不是直接连接 GND 来消除该问题。

    最棒的

    Cole