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器件型号:MCT8316AEVM 大家好、支持团队。
我的问题与以下 EVM 电路中的 Q1和 D8有关。
D8和 Q1的作用是什么?
如果您能告诉我它是如何工作的、那将会很有帮助。
此致、
千兆
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大家好、支持团队。
我的问题与以下 EVM 电路中的 Q1和 D8有关。
D8和 Q1的作用是什么?
如果您能告诉我它是如何工作的、那将会很有帮助。
此致、
千兆
您好!
有关完整说明、请参阅本应用报告(www.ti.com/.../slva835a.pdf)中有关反极性保护的第4节和第4.1节。
总之、如果 VBAT 和 PGND 正确连接、Q1的基极接地、晶体管关断。 D8可防止电流流入 BJT、电流流经 nMOSFET 并将 VBAT 连接到 VM。 请注意、nMOSFET 可以开启、因为其栅极连接到 VCP、因此 VGS > Vth。
如果电源反接、则 PGND 高于 VBAT、因此 Q1的基极-发射极电压变为正、 Q1在其集电极和发射极之间导通。 这会通过 Q1和 D8将 nMOSFET 的栅极连接到 VBAT (反极性条件下为接地)、从而将其关闭并保护系统。
此电路需要在电源上使用 nMOSFET 而不是 pMOSFET、是首选、因为其 Rdson 较低、损耗较低。
此致!
洪