大家好、
您能否在下面回答我的问题？
客户将 HW 型号用于电动座椅应用。
1) 1)我们是否知道拉电流/灌电流运行的完整时间(包括抗尖峰脉冲时间)？
2) 2)我们是否也知道 SOX 从 SPx 和 SNx 向 MCU 报告的完整时序？
3) 3)另一个问题2-4)、VDS 当客户将25A 视为过流时、IDRIVE/IDR/ GAIN/ MODE 的建议设置是什么？
4) 4)根据我的理解、栅极驱动器的拉电流/灌电流仅控制电流、但实际上并不会关闭 IC。 电流分流放大器向 MCU 报告、以便它能够控制 IC 进入睡眠/复位状态。 是这样吗？ 那么拉电流/灌电流(~mA)是否足以处理过流、从而使 FET 不损坏？
尊敬的 Zena：
1) 1)灌电流和拉电流可设置如下：
抗尖峰脉冲时间适用于 某些故障、而不是 IDRIVE 设置。 您能解释一下自己的意思吗？
2) 2)了解这些信息的原因是什么？
3) 3)以下是您必须考虑 FET 的一般事项、也在第9.2.2节中进行了概述：
连续漏极电流 I_D (max)必须大于应用中的最大电流。
IDRIVE 设置应足够低、以便达到至少100-200ns 的上升/下降时间。 请参考下面的公式。
上升/下降 = Qgd /灌电流/拉电流
4)所以只需提供流经检测电阻的电流。 DRVOFF 或 nSLEEP 可能更符合您的想法。
此致！
凯尔蒂
您好！
借助上述信息和另一个 E2E 主题、您能否检查我的计算并确认 IDRIVE、VDS、模式和增益设置的电平？
1. IDRIVE
客户使用具有1.8nC 的 FET (NVMFD5C466N)。 由于 HW 型号无法分别设置 IDRIVE P/N、因此无法同时满足目标 t_rise 和 t_fall。
根据您的意见、I_drive 应小于9mA、便会达到1级或2级。
IDRIVE 设置应足够低，以提供至少100-200ns 的上升/下降时间
在1级和2级之间、您有什么建议？
2. VDS
供客户使用的 FET 的 RDS (on)典型值为6.75m Ω。 (8.1m Ω@10V)。
由于客户认为上述25A 为过流、因此 VDS 阈值= 675欧姆*25A = 0.16875V。
那么、可以将电平3用于 VDS 引脚设置吗？
3.增益
客户称5m Ω 太大、因此我想使用1m Ω。
除了绝对最大额定值和输出电流之外、我不认为有任何 SOx 输出要求。
如果我们将总增益设置为10(1级)，SOx 输出设置为25A*0.001*10+1.5=1.75V，是否可以应对过流？
4.模式
对于 H 桥、EN/PH 模式、2级连接是正确的。
尊敬的 Keerthi：
我根据您的评论计算得出、结果是200ns。 您认为 N 和 P 都用200ns 足够了吗？ 因为它远低于数据表中的目标范围。
IDRIVE 设置应足够低，以提供至少100-200ns 的上升/下降时间。
