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[参考译文] BOOSTXL-DRV8320H：使用 VGS 监视器来确定插入死区时间时的 Vgsth 温度漂移

admin
Guru**** 2465890 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1286171/boostxl-drv8320h-vgsth-temperature-drift-when-using-a-vgs-monitor-to-determineinsert-a-deadtime

器件型号：BOOSTXL-DRV8320H
主题中讨论的其他器件：DRV832X

海量专家  

 我将使用 DRV8320HRTVR，开发一个电机控制器在我的应用中 、我使用了 DRV8320HRTVR 来驱动一个 MOSFET  、该 MOSFET 的典型值为 Vgs= 1.7V、且最小值为1.2V。

 DRV832x 系列器件使用 VGS 电压=2V 的监控器来测量 MOSFET 栅源极电压 、以 确定是否 插入固定电压=100ns；

我的问题是:      当使用   VGS voltages=2V 监控器来确定 插入一个固定件时, DRV832x 是否考虑了温度漂移或 MOSFET Vgsth 之间的差异。

非常感谢

志鹏

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    TI__Guru**** 2465890 points
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    嗨、Zhipeng、

    感谢您的提问。

    VGS 阈值基于驱动器栅极感测、与 MOSFET VGS 阈值无关。  2V 是一个近似值、不考虑温度漂移。 由于您的 MOSFET VGS TH 低于2V、因此无法使用驱动器 VGS 来判断 FET 是否实际已关闭。  

    驱动器使用大约2V 的电压来决定何时开始增加死区时间、因此在您的应用中、您可能需要添加额外的死区时间、以便考虑 FET 何时实际关闭、并且可以针对最终应用对死区时间进行测试和最终确定。

    此致！
    阿克沙伊

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    TI__Guru**** 2465890 points
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    您好，Akshay

    感谢您的答复。

    但是有一个描述" MOSFET 参数中的温度漂移和变化 "、那么这个功能演示是什么

     关于？


    谢谢！

    志鹏

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    TI__Guru**** 2465890 points
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    嗨、Zhipeng、

    我会进行研究并提供反馈。   

    此致！

    阿克沙伊

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    TI__Guru**** 2465890 points
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    您好， Akshay

    另一个问题是正确的死区时间，如图中所示？

    DEADTIME1：关断的 VGS  = 2V 和 VGS =之间的时间 0  MOSFET 导通时的 V ；

    DEADTIME2：关断的 VGS  = 2V 和 VGS =之间的时间 2  MOSFET 导通时的 V ；

    谢谢！

    志鹏

  • 0
    TI__Guru**** 2465890 points
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    嗨、Zhipeng、

    当然、我会与我的团队进行核实并提供反馈。

    此致！

    阿克沙伊

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    TI__Guru**** 2465890 points
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    嗨、Zhipeng、

    在感测中、温度漂移被考虑在内、因为机制基于栅极上的电压、所以在它检查引脚上的栅极电压时、会考虑影响 MOSFET 参数的温度变化(导致栅极电压上升/下降的速度更快或更慢)。

    死区时间计时器从 VGS = 2V 开始、并需要在允许 MOSFET 导通之前耗尽。

    此致！
    阿克沙伊

  • 0
    TI__Guru**** 2465890 points
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    您好，Akshay

    感谢您的答复。

    用于补偿8320中的栅极电压漂移的温漂率参数是什么？ 是7mV/°C 还是其他值？

    （出现死区时间问题、为了使另一个 MOSFET 能够导通 ）Ω、使用了多大的电压、这意味着死区时间计时器何时停止 μ s？ Vgs=2V 还是0V (开始 Vgs 上升)？

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    TI__Guru**** 2465890 points
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    嗨、Zhipeng、

    无论栅极导通/关断状态如何、开环死区时间都会插入时间、但是、我们的 DRV 器件会在插入死区时间之前测量栅极电压以达到阈值。 如果使用闭环死区时间、则会测量栅极电压、以在插入死区时间之前检查 FET 是否关断(基于阈值)。 如果不测量栅极电压、则温漂可能会导致在插入死区时间时栅极无法关闭。

    计时器在下降(2V)时启动、然后在上升开始(约0V)时停止

    此致！
    阿克沙伊

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    TI__Guru**** 2465890 points
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    您好，Akshay

    感谢您的回复。，
     现在，我可以理解 死区时间计时器的逻辑。
    然而,我对 Vgsth 的温度补偿仍有疑问。
    例如、当温度为25℃ 时、器件8320使用 Vgs=2V 来插入100ns 的死区时间。
    那么、当温度为-20℃ 时、插入100ns 死区时间的 Vgs 值是多少？
    另外、当温度为+100℃ 时、插入100ns 死区时间的 Vgs 值是多少？

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    TI__Guru**** 2465890 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Zhipeng、

    温度补偿如下所述：

    在感测中、温度漂移被考虑在内、因为机制基于栅极上的电压、所以在它检查引脚上的栅极电压时、会考虑影响 MOSFET 参数的温度变化(导致栅极电压上升/下降的速度更快或更慢)。

    VGS 阈值电压可能略有变化、但主要是我们的驱动器 通过检查引脚上的栅极电压来考虑温度变化。

    此致！
    阿克沙伊