我会看到一些出乎意料的行为、我想知道栅极驱动器为什么这样做。 IDRIVEP_HS 在应该应用的时候似乎未应用。
在300 mA (IDRIVEP_HS = 4、IDRIVEN_HS = 3、IDRIVEP_LS = 4、IDRIVEN_LS = 3 )时、我有 IDRIVE (全部4个)。 TDRIVE 为3 (4000ns)、DEAD_TIME 为1 (100ns)。栅极电压波形以及上升和下降时间是我对8个栅极边沿中的6个边沿的预期、但高侧栅极上升时间要慢得多。 在某些情况下、似乎好像 IDRIVEP_HS 更接近50 mA - 100 mA。 当电流流出半桥时(高侧栅极上升就是切换半桥)、电流似乎是我之前和在平坦期间配置的、但之后似乎太低。 当电流流入半桥时(高侧栅极上升不会切换半桥)、该电流在整个期间似乎过低。
在这两种情况下、低电流出现在功率 MOSFET 实际未进行开关的时间、因此这可能是有意为之、但仍然很奇怪。 这是 DRV8350S 应该做的事情吗？
这是看起来错误的2个波形的图片。 它们以类似的指数衰减曲线继续上升、直到达到9.5V 左右。 显示的测量值位于整个示波器捕获缓冲器上(包括达到最终电压)：
这是2个高侧下降波形(这些波形与我预期的波形类似)：
这里是4个低侧波形(这些波形也与我的预期类似)：
所有这些波形都是在稳定状态下捕获的、此相位上的电流为150A (在任一方向)、而其他两个相位上的电流为75A (反向)。 另外两个相位上的相同测量结果看起来与150A 非常相似、而我看到的唯一区别是、最接近栅极驱动器的相位的振铃/瞬态幅度略低。
我的设计使用2个 并联的 IPTG014N10NM5 (所有3个相位总共12个 MOSFET)、每个相位都具有169 nC 的标称栅极电荷。 我正在 以20kHz 的频率使用 FOC 开关(控制环路在 PWM 的两个中点运行、因此控制环路在40kHz)、即20.3 mA I_VCP / I_VGLS、低于25 mA 额定值。
我将使用一个接地线夹探测 MOSFET 焊盘正下方的过孔。 探头为500 MHz 10x 高阻抗无源探头。 范围为500 MHz。 高侧测量通过相位上的示波器接地进行、测试设置由电池供电、使其浮动。
