我知道我要问的问题不在数据表中、但需要确保:我们是否有基于电流和温度的 MOSFET 体二极管两端压降信息? 我看到数据表第26页使用了1V 的值、但这似乎是一个保守的数字、仅用于估算损耗。
谢谢!
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尊敬的 Lenio:
MOSFET 的体二极管正向电压通常约为 0.8V 至1.0V。例如、请查看其中一个 TI N 沟道 MOSFET https://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd18533kcs.pdf。 根据电流和温度、我们没有体二极管的 VDS、但可以安全地假设最大值为1V。 DRV8962中集成 FET 的额定电流。 客户的具体问题是什么? 谢谢。

此致、Murugavel
尊敬的 Lenio:
结论是如何得出的? 反电动势是否可能导致电压泵回并将 VM 升压至高于绝对最大值。 这对于该器件来说已经很高了。 但是、如果使用的 VM 为48V 或更高、则可能会发生这种情况。
不管怎样、体二极管的速度不够快。 因此、FET 上的肖特基二极管可以改善这种情况。 我不会看到体二极管电压下降几伏。
使用的负载是 BDC 电机? 使用的电流额定值和电源电压是多少? 是否使用了 PWM 驱动、如果使用了什么频率以及故障期间使用了什么占空比、在即时停止旋转电机时是否发生了故障? 如果这是导致故障的原因、客户是否能够在停止电机时捕获 VM 电压? 谢谢。
此致、Murugavel