您好！
a 我的帐户中有关于 DRV8711的以下问题。 请帮助检查一下。
IDRIVEP&IDRVEN 的寄存器设置如何影响 SCLK 引脚上的电压噪声幅度？
测试条件如下：
a.using TI DRV8711EVM 演示板
B. VM=
C.57序列步进模式、3A、1.8度/步进、P=23HS8430
D. 寄存器设置如下所示
DRV8711_CTRL C9F
DRV8711_Torque F46
DRV8711_OFF FFF
DRV8711_BLANK EFF
DRV8711_DECAY B5E
DRV8711_STALL FFF
DRV8711_DRIVE 0D3
DRV8711_STATUS FFF
尊敬的 Ken：
客户挑选 SCLK 引脚的原因是什么？ 客户是否遇到性能问题？
我有一个 DRV8711EVM 与 ME 和23HS8430步进电机。 我将其设置与客户设置类似、即24V、3A IFS、1/16ustep、以在8573 PPS 阶跃输入下保持良好的电流波形。 在1/8 ustep 设置时、24V 电源电压不足以在8573 PPS 下获得良好的电流波形。 48V 电压会改善这一点、但这不是该测试的目标。 我发现 EVM 工作正常。 我捕获了电机电流波形 SCLK 和 DIR (设置为低电平)、并将 SCLK 和 DIR 的刻度设置为100mV/DIV、以捕获噪声和电流刻度1A/DIV。 我从最低的 IDRIVEN 和 IDRIVEP 设置开始。 将 IDRIVEN 从最低设置更改为最高设置、发现对 SCLK 和 DIR 测试点没有噪声影响。 请参阅以下捕获。 黄色–SCLK、粉色–DIR。 两条信号线路上的噪声都低于+/- 50mV、而不仅仅是 SCLK。
增加 IDRIVEP 电流会影响 SCLK 和 DIR 上的噪声、相同程度上 不仅限于 SCLK 引脚。 到 HS-FET 的较高电流栅极驱动会导致噪声增加。 但是、这种噪声不会对器件的运行产生不利影响。 HS-FET 驱动器由电荷泵提供。 当加载电荷泵时、它会产生更多传导噪声。 为 HS-FET 使用真正必要的电流驱动非常重要。 请参见数据表。 在 IDRIVEP 具有最大电流时噪声最高、并影响所有 MCU 信号 SCLK、SDATAI、DIR 等。 请参阅下面使用最高 IDRIVEP 设置拍摄的捕获图。
噪声水平与客户观察到的水平相似、但这不是 SPI 功能的问题、因为本底噪声不仅在 SCLK 上是全局性的。 噪声振幅远低于1.5V 的 VIH 最小值和0.8V 的 VIL 最大值。电压< 0.8V 将成为逻辑低电平、大于1.5V 将成为逻辑高电平。 这不是问题。 最低驱动电流设置足以支持 EVM 上的 MOSFET。
客户可以查看 VCP 交流纹波及其如何随更高的 IDRIVEP 设置增加。 如果客户将要使用的 MSOFFET 需要更高的电流设置、则可以通过将铁氧体磁珠或与 VM 连接的 CP 电容器串联的小型电感器来缓解该问题。 请参见下方的。
此致、Murugavel
穆鲁加维尔
由于有电荷泵、高 IDRIVEP 会产生更高的噪声、但 IDRIVEN 对噪声没有影响。 为什么 IDRIVEN 不影响噪音？ 是因为低侧栅极驱动器的电源更稳定、对吗？ 如果需要、 低侧栅极驱动电源的内部电路是什么？
推荐的铁氧体磁珠是多少？
