主题中讨论的其他器件: DRV8329-Q1、 DRV8305-Q1、DRV8334
您好、
我的客户需要死区时间小于500ns。 在默认值6 PWM 模式下、最小死区时间为500ns。
因此我们更改为独立的 MOSFET 模式。 在此模式下、8343不关心输入 PWM 波的死区时间。
如果 MCU 发送错误的 PWM、半桥中的 MOSFET 可能会击穿、在这种情况下、8343是否可以保护这两个 MOSFET?
MOSFET 的 Qg 为49nC (0-15V)、Rdson 为1.7m Ω。 器件型号为 ZMSA016N04HNC。
谢谢!