This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8343-Q1:独立 MOSFET 驱动模式在 BLDC 应用中、它是否能够在桥击穿时保护 MOSFET?

Guru**** 1831610 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8334, DRV8343-Q1, DRV8329-Q1, DRV8305-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1341283/drv8343-q1-independent-mosfet-drive-mode-in-bldc-application-can-it-protect-mosfet-in-shoot-through-of-bridge

器件型号:DRV8343-Q1
主题中讨论的其他器件: DRV8329-Q1DRV8305-Q1、DRV8334

您好、

我的客户需要死区时间小于500ns。 在默认值6 PWM 模式下、最小死区时间为500ns。

因此我们更改为独立的 MOSFET 模式。 在此模式下、8343不关心输入 PWM 波的死区时间。

如果 MCU 发送错误的 PWM、半桥中的 MOSFET 可能会击穿、在这种情况下、8343是否可以保护这两个 MOSFET?

MOSFET 的 Qg 为49nC (0-15V)、Rdson 为1.7m Ω。 器件型号为 ZMSA016N04HNC。

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Jass、

    客户使用的是哪种型号的 DRV8343-Q1? SPI 或硬件?

    据我所知、自动死区时间插入驱动器为了避免击穿而采取的一种预防措施、使用独立模式从本质上禁用这种预防措施。

    此致、

    亚拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    它们使用 SPI 版本。 最小死区时间太长、我们现在需要100ns 至250ns 去饱和时间、我们是否会使用独立模式。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Jass、

    我必须向我的团队核实这一点、 据我所知、死区时间插入是唯一的击穿预防措施、因此、如果您使用的模式已禁用死区时间、那么当 MCU 发送纠正 PWM 信号时、您将无法获得击穿保护。

    此致、

    亚拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我们的 OCP 干扰为4.75us、MOS 的 SOP 为10us、能否考虑8343的 OCP 可以保护 MOSFET?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Jass、

     如果数据表未明确说明独立模式下发生击穿导致 MCU 故障时、我不建议您依靠 OCP 来保护 MOSFET。 数据表说明、  在独立模式下不会插入死区时间、这实际上是为了驱动高侧和低侧都需要的螺线管。  

    您是否考虑过以下任何具有更短死区时间的器件? DRV8305-Q1、DRV8334或 DRV8329-Q1?

    此致、

    亚拉