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器件型号:DRV8317HEVM 工具与软件:
您好!
我认为评估板上省略了接近 DRV8317H VIN_AVDD 引脚的数据表建议去耦电容器、对吧? VIN_AVDD 一直到电路板的另一侧跳线、然后从那里路由到所选的电源轨。 因此、所选电源轨上已放置的任何电容器必须远离 IC 引脚。 或者我缺少什么吗?
谢谢。
再讲究。
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工具与软件:
您好!
我认为评估板上省略了接近 DRV8317H VIN_AVDD 引脚的数据表建议去耦电容器、对吧? VIN_AVDD 一直到电路板的另一侧跳线、然后从那里路由到所选的电源轨。 因此、所选电源轨上已放置的任何电容器必须远离 IC 引脚。 或者我缺少什么吗?
谢谢。
再讲究。
嗨、大家好、
感谢您的提问。
我只需查看 EVM 设计文件、您答对了。 局部去耦电容不在 VIN AVDD 上、并且布线的电容远离 IC。 请遵循数据表指南、将 VIN_AVDD 电容靠近器件引脚。
谢谢观看。
此致!
阿克沙伊
感谢您的快速回复、欢迎您的到来。 我将遵循数据表中的建议。 我想知道内部 LDO 足够稳定、即使在输入电容器很远的情况下也能正常工作是件很好的事情:-)
嗨、大家好、
没问题! 已经对此进行了记录、以供将来参考。
此致!
阿克沙伊